06微电子工艺基础化学气相淀积.pdf

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66章章化学气相化学气相淀积工艺工艺淀积工艺工艺 微电子工艺基础 66章章 化学气相淀积工艺化学气相淀积工艺 本章(4学时)目标: 0、教材p241-p255,p261-p265 1、化学气相淀积的分类 2、熟悉常见的化学气相淀积形成的绝缘材料 3 、Si N 薄膜的作用和淀积机 3 4 理 4 、多晶硅薄膜的作用和淀积机 理 微电子工业基础 66章章 化学气相淀积工艺化学气相淀积工艺 一、化学气相淀积概述 二、化学气相淀积方法及设备 三、典型物质淀积介绍 微电子工业基础 66章章 化学气相淀积工艺化学气相淀积工艺 一、CVD概述 1、定义 2、化学方程式(*** ) 3、CVD工艺的特点(*** ) 4、CVD工艺系统设计(* ) 5、CVD工艺的步骤(* ) 6、CVD系统分类(*** ) 微电子工业基础 7、CVD工艺的安全问题 (** ) 66章章 化学气相淀积化学气相淀积工艺工艺 一、一、CCVDVD概述概述 1、定义(*** ) 化学气相淀积(Chemical Vapor Deposition )是通过气态物质的化学反应在衬底上淀积薄 膜的工艺方法。 与之对应的是:PVD (蒸发和溅射),它主要 应用于导体薄膜。 微电子工业基础 66章章 化学气相化学气相淀积工艺淀积工艺 一、一、CCVDVD概述概述 1、定义(*** ) 与气相外延的比较: ①它与气相外延相似,有些设备可通用; ②外延生长的是单晶膜,衬底也必须是单晶,且要求 的工艺条件高; ③淀积薄膜是非晶或多晶,衬底也 要求是单晶,只 要是具有一定平整度,能经受淀积温度 (温度变化范 围从室温到1250℃)即可,工艺控制要求也没有气 相外延高。 微电子工业基础 66章章 化学气相化学气相淀积工艺淀积工艺 一、一、CCVDVD概述概述 2、化学方程式(*** ) (1)化学反应的类型 发生的化学反应可分为4种类型:(P244 中间) 高温分解反应 还原反应 氧化反应 氮化反应 微电子工业基础 66章章 化学气相化学气相淀积工艺淀积工艺 一、一、CCVDVD概述概述 2、化学方程式(*** ) (2)化学反应方程式 微电子工业基础 66章章 化学气相化学气相淀积工艺淀积工艺 一、一、CCVDVD概述概述 3、CVD工艺的特点(*** ) 微电子工业基础 66章章 化学气相化学气相淀积工艺淀积工艺 一、一、CCVDVD概述概述 4、 CVD工艺系统设计(* ) 详见教材P245中间。 微电子工业基础 66章章

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