ch5放大电路的频率响应-概述2-高频等帮效模型.pptVIP

5.1.3 波特图 在研究频率响应时,输入信号频率范围从几赫到几百兆赫，而放大倍数从几倍到上百万倍，为开阔视野,画频率特性曲线时,频率坐标采用对数刻度(只是刻度取对数，但坐标还是频率)，幅值坐标采用20lg|Au|(单位分贝)，相角坐标不变。 折线化(实线)：对幅频特性，以fL为拐点，分别以20lg|Au|=0dB以及斜率为20dB/十倍频的直线近似。对相频特性，以10fL 和0.1fL为两个拐点，当f 10fL时用φ=0o的直线近似，当f 0.1fL时用φ=+90o的直线近似，在0.1fL f10fL时φ随f线性下降(f=fL时，φ是45o)。 高通电路 ——虚线（非折线化） 折线化(实线)：对幅频特性，以fH为拐点，分别以20lg|Au|=0dB以及斜率为-20dB/十倍频的直线近似。对相频特性，以10fH 和0.1fH为两个拐点，当f 0.1fH时用φ=0o的直线近似，当f10fH时用φ=-90o的直线近似，在0.1fH f10fH时φ随f线性下降(f=fH时，φ是-45o) 。 低通电路 ——虚线（非折线化） 总结 (1) 电路的上下限截止频率决定于电容所在回路的时间常数τ，即决定了fL和fH。 (2) 当信号频率等于下限频率fL或上限频率fH时，放大电路的增益下降3 dB，且产生+450或-450相移。 (3) 近似分析中，可以用折线化的近似波特图表示放大电路的频率特性。 b/、c/、e/是假想点，rbb/为基区体电阻。 5.2 晶体管的高频等效模型 rc和re分别为集电区体电阻和发射区体电阻，数值较小可忽略不计。 Cμ为集电结电容， Cπ为发射结电容，因此β 是频率的函数。 rb/c/为集电结电阻，rb /e /为发射结电阻。 5.2.1晶体管混合?模 型(源于物理结构) 根据半导体物理，Ic与发射结电压Ub/e成线性关系，与信号频率无关。 引入跨导gm(常数)，使得Ic= gmUb/e，表明Ub/e对Ic 的控制。 单向化：依靠等效电容变换(稍后说明)，设Cμ折合到b/-e 间电容为C/μ, 折合到c -e 间电容为C//μ。 最终简化：C/π(b/-e 间总电容)=Cπ+ C/μ；C//μ容抗远大于c-e间所接负载电阻，视为开路。 简化：rce远大于c--e间所接负载电阻，而rb/c也远大于Cμ的容抗，可将rce和rb/c开路。 密勒定理：一个线性电路，0为零电位，而节点1和节点2之间有阻抗Z相接。设节点电位U1和U2的比值为K，即U2/U1=K。把Z从节点1和节点2之间移去，在节点1与0之间接一个阻抗Z1，在节点2与0之间接另一个阻抗Z2。如果Z1=Z/1-K，Z2=Z/(1-1/K)，则变换前后两电路就各节点的KCL方程(基尔霍夫第一定律：任一瞬时流向某一结点的电流之和恒等于由该结点流出的电流之和)来说完全等效。 用两个电容来等效Cμ，分别接b?、e 和c、e两端 两个电容分别为： 其中 考虑近似计算(中频情况)， Ub/e与Ube同相，所以Uce与Ub/e相位也相反，即： 混合?模型的主要参数 将混合 ? 模型和微变等效模型在同等情况下(即均没有电容起作用，且电阻参数完全相同)相比较： Cμ可从手册中查得Cob(是晶体管为共基接法且发射极开路时c-b 间的结电容) ， Cob与Cμ近似相等。 Cπ数据可从手册中给定的特征频率fT和放大电路的Q点求解，在后面分析中可以看到Cπ的求解过程。 回顾：由于晶体管中PN结结电容的存在，晶体管的交流放大系数?(是所加信号频率的函数)会下降，使得?的数值下降到1的信号频率称为特征频率fT。当工作频率f＞fT时，三极管便失去了放大能力。 β0 为低频段晶体管的电流放大系数 5.2.2 晶体管电流放大倍数β的频率响应 所以在高频段，信号频率变化时，电流放大系数β不是常量，而是频率的函数。 从混合π等效模型可看出(结合低通电路)，管子工作在高频段时，若基极注入的电流Ib的幅值不变，则随着信号频率升高，b/-e间电压Ub/e的幅值将减小且相移将增大(rb/e与C/π是并联关系)，从而使IC的幅值随Ub/e线性下降，并产生与Ub/e相同的相移。 求共射接法交流电流放大系数β 根据电流放大系数的定义： 表明β是保持c-e间电压恒定（即混合?模型中c-e间动态电压为零）时动态电流Ic与Ib 之比，因此K=0。 称fβ为共射截止频率 K=0 (K=0) (K=0) (K=0) β的频率响应 (与低通电路相似) 对数幅频特性 fT f O f? 20lg ?0 -20dB/十倍频 对数相频特性 f 0 ?? 10 f? 0.1f? -45o -90o 幅频响应： 相频响应：