电力电子技术课程复习题_解答参考_V2..doc

《电力电子技术》课程复习题 解答参考 绪论部分: 简要评述电力电子学与信息电子学的差异与联系。 电力电子技术的基础与核心分别是什么。 第1章部分: 一，教材P.42中的全部习题。 提示：对第3．题，（a），T = ，平均值Id10.27Im，有效值I10.48 Im；（b），T = 。对第4．题，这里，该晶闸管可通过电流的有效值为，要利用第3．题的结果；Id189.7A，Im1330A。 二，补充题： 1．画图说明二极管的反向恢复时间与软度因子是如何定义的。（P13） 2．分别画出晶闸管SCR与TRIAC、功率晶体管GTR、功率MOSFET、IGBT器件的输出伏安特性图，在图中相应位置上标明能表示这些器件各自重要特性参数的名称。（略） 3．给出电力电子器件的安全工作区SOA有什么意义，画图表示功率晶体管GTR的SOA区。 答：限定了电力电子器件电压、电流和功率等各方面在安全工作时的范围。GTR的SOA区见P26。 4．GTO器件的关断增益是怎样定义的。（P23） 5．抗饱和电路在GTR恒流驱动电路中的主要作用是什么。 答：P35。抗饱和电路可使GTR导通时处于临界饱和状态，减小导通时的饱和深度可以减小储存的载流子，从而缩短储存时间，加快关断速度。 6．虽然都是电力电子器件，但我们说与晶闸管相比功率晶体管不是真正的开关器件，这句话的含义是什么。 答：理想的开关器件是工作于开关状态的，比较（P17）SCR的伏安特性和（P24）GTR的输出特性，可看出GTR多了一放大区，当GTR工作于放大区时，流过集电极电流的大小是受基极电流控制的，所以与晶闸管相比功率晶体管不是真正的开关器件。 7．写出功率MOSFET的四个工作模式的定义。（P27） 8．功率MOSFET管中的体二极管在使用中会出现什么问题，如何防止。 答：功率MOSFET管在使用时，若，则出现逆向导通。若要使其逆向不导通可加入一个二极管与功率MOSFET管串联使用，二极管串接方向与体二极管方向相反。 9．IGBT管的擎住效应在使用中会出现什么问题，如何防止。 答：集电极电流过大、电压过高或过大都可能引发擎住效应。在使用IGBT时应防止集电极电流和电压过大，同时在IGBT的集电极C和发射集E两端并联接入一个电容，也可考虑适当增大串接于IGBT栅极的电阻以适当减慢MOSFET的关断过程，如此以减小关断时的。 10． 功率MOSFET的导通电阻是怎样定义的。 答：MOSFET导通电阻指GS极加正压的静态电阻， 11．电力电子器件的功率损耗包含哪些部分，为什么在较高功率应用场合要使用散热器。 答：通态损耗和断态损耗；开通损耗和关断损耗（即开关损耗）。导通时器件上有一定的通态压降，阻断时器件上有微小的断态漏电流流过，尽管数值都很小，但分别与数值较大的通态电流和断态电压相作用，就形成了电力电子器件的通态损耗和断态损耗；电力电子器件由断态转为通态（开通过程）或由通态转为断态（关断过程）的转换过程中产生的损耗，分别成为开通损耗和关断损耗，总称开关损耗。 在较高功率应用场合，各类损耗也会相应较大，为了保证电力电子器件不至于因损耗散发的热量导致温度过高而损坏，需要安装散热器。 12．GTR器件与快恢复二极管FRD的最重要开关参数分别是什么。 答：若考虑器件最能体现自身特性的参数，则GTR为二次击穿功率，FRD为反向恢复时间。 13．从稳态特性与动态特性两方面说明电力电子开关器件与机电式电磁开关电器的各自最主要优缺点。 答：1）稳态特性主要考虑导通和阻断。机电式电磁开关电器性能更好；电力电子开关器件导通时有导通压降，阻断时有漏电流。2）动态特性主要考虑开通和关断。电力电子开关器件性能更好；机电式电磁开关电器开关速度慢，有可能产生电弧。 14．晶闸管的电路模型是什么；电路模型中含有晶闸管的器件又是什么器件。 答：双晶体管模型（图略）；IGBT。 15．结构上达林顿管与IGBT都是复合型器件，但两者有何区别。 答：达林顿管是由两个晶体管构成；IGBT是由MOSFET和PNP晶体管构成。 16．可以用快速熔断器进行过电流保护的电力电子器件是什么器件。 答：快速熔断器的响应时间约为10ms，用快速熔断器能够起到有效过流保护的电力电子器件是SCR和二极管（低频应用场合）。 17．缓冲电路的用处是什么。（P39） 18．什么是单极型半导体器件和双极型半导体器件，列出单极型器件的名称。 答：参与导电的载流子只有一种（电子或空穴）的器件称为单极型半导体器件；参与导电的载流子既有电子又有空穴的器件称为双极型半导体器件。单极型器件：Power MOSFET。 第2章部分: 一，教材P.97---99中的第2.---13. 题, 第16.---17.①题，第18.---19. 题, 第22.---2