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第二章 电阻式传感器 电阻式传感器的基本原理是将被测量的变化转换成传感元件电阻值的变化，再经过转换电路变成电信号输出。 第一节 应变式传感器 目前自动测力或称重中应用最普遍的是应变式传感器，应变式传感器有下列优点： 1.精确度，线性度好，灵敏度高； 2.滞后和蠕变都较小，寿命高； 3.容易与二次仪表相匹配实现自动检测； 4.结构较简单，体积较小应用灵活； 5.工作稳定和保养方便。 应变式传感器除可用于测量力参数外，还可用于测量加速度、振幅、位移、温度等其他物理量。 (二)应变片的基本结构及测量原理 用应变片测量时，将其贴在被测对象表面上。当被测对象受力变形时，应变片的敏感栅也随同变形，其电阻值发生相应变化，通过转换电路转换为电压或电流的变化，这是用来直接测量应变。 通过弹性敏感元件将位移、力、力矩、加速度、压力等物理量转换为应变，则可用应变片测量上述各量，而做成各种应变式传感器。 二、应变片的类型和材料 （一）应变片的类型和材料 1.金属丝式应变片 回线式：横向效应较大，制作简单， 性能稳定。 短接式：克服横向效应，焊点多， 焊点处易出现疲劳损坏，制造 工艺高。 敏感栅材料要求：灵敏度高，电阻率高，稳定性好，温度系数小，抗氧化，耐腐蚀。（康铜、镍铬合金等） 3.金属薄膜应变片 采用真空蒸发或真空沉积等方法在薄的绝缘基片上形成厚度在0.1微米以下的金属电阻材料薄膜的敏感栅，最后再加上保护层。 优点：应变灵敏系数大，允许电流密度大。 存在问题：温度稳定性差。 (二)应变片的粘贴 应变片是用粘合剂粘贴到被测件上的。粘合剂形成的胶层必须准确迅速地将披测件应变传进到敏感栅上。粘合剂的性能及粘贴工艺的质量直接影响着应变片的工作特性，如零漂、蠕变、滞后、灵敏系数，线性以及它们受温度变化影响的程度。 对粘合剂和粘贴工艺有严格要求 第二节 压阻式传感器 压阻效应：固体受到作用力后，电阻率就要发生变化，这种现象叫压阻效应。半导体材料的压阻效应特别强。 特点：灵敏系数大，分辨率高，频率影响高，体积小。主要用于测量压力、加速度和载荷等 习题 一、半导体应变片结构及工作原理  1、半导体应变片的制作与结构 制作材料用单晶硅、锗。P型单晶硅结构如图。在直角坐标系中它有许多晶轴方向，实验发现沿不同晶轴方向压阻系数相差很大（电阻率变化相差很大）。 2、晶向、晶面的表示方法 扩散硅压阻式传感器的基片是半导体单晶硅。单晶硅是各向异性材料，取向不同其特性不一样。而取向是用晶向表示的，所谓晶向就是晶面的法线方向。 结晶体是具有多面体形态的固体，由分子、原子或离子有规则排列而成。这种多面体的表面由称为晶面的许多平面围合而成。晶面与晶面相交的直线称为晶棱，晶棱的交点称为晶体的顶点。为了说明晶格点阵的配置和确定晶面的位置，通常引进一组对称轴线，称为晶轴，用X、Y、Z表示。 C Z O B A X Y 1 1 例如硅为立方晶体结构，就取立方晶体的三个相邻边为X、Y、Z。在晶轴X、Y、Z上取与所有晶轴相交的某晶面为单位晶面，如图所示。 此晶面与坐标轴上的截距为 OA、OB、OC。已知某晶面在X、Y、Z轴上的截距为OAx、OBy、OCz，它们与单位晶面在坐标轴截距的比可写成 p、q、r为没有公约数(1除外)的简单整数。为了方便取其倒数得 h、k、l也为没有公约数（1除外）的简单整数。截距OAx、OBy、OCz的晶面，能用三个简单整数h、k、l来表示。h、k、l称为密勒指数。 晶向是晶面的法线方向，根据有关的规定，晶面符号为(hkl)，晶面全集符号为{hkl}，晶向符号为 [hkl]，晶向全集符号为〈hkl〉。 晶面若在X、Y、Z轴上截取单位截距时，密勒指数就是1、1、1。故晶面、晶向、晶面全集及晶体全集分别表示为(1 1 1)、[1 1 1]、{1 1 1}、〈1 1 1〉。 3、工作原理 压阻效应：半导体沿某一轴向受到应力而产生应变时，其电阻率发生变化，此现象为压阻效应。 半导体电阻率的变化为： 引起半导体材料电阻相对变化的主要原因是压阻效应 。当硅膜比较薄时，在应力作用下的电阻相对变化为： 4、压阻系数 电阻率的相对变化与应力的比例系数就是压阻系数。 单晶硅的压阻系数矩阵为 二、温度误差及其补偿 压阻式传感器受到温度影响后，要产生零位漂移和灵敏度 漂移，因而会产生温度误差。 传感器灵敏度的温漂是由于压