气体放电的本物理过程.pptVIP

（2）电晕放电的危害与对策 危害： 功率损耗、电磁干扰、噪声污染 对策：（限制导线的表面场强 ） 采用分裂导线。 对330kV及以上的线路应采用分裂导线，例如330，500和750kV的线路可分别采用二分裂、四分裂和六分裂导线。 （2）电晕放电的利用 在某些情况下可以利用电晕放电产生的空间电荷来改善极不均匀场的电场分布，以提高击穿电压。 导线－板电极的空气间隙击穿电压（有效值）与间隙距离的关系 1－D=0.5mm 2－D=3mm 3－D=16mm 4－D=20mm 虚线－尖-板电极间隙 点划线－均匀场间隙 不均匀电场中放电的极性效应 负极性棒－板间隙的电晕起始电压比正极性棒－板电极低 负极性棒－板间隙击穿电压比正极性棒－板电极高 谢谢大家！ * * * * * * * * * 1、非自持放电和自持放电的不同特点 电流随外施电压的提高而增大，因为带电质点向电极运动的速度加快复合率减小 电流饱和，带电质点全部进入电极，电流仅取决于外电离因素的强弱（良好的绝缘状态） 电流开始增大，由于电子碰撞电离引起的 电流急剧上升放电过程进入了一个新的阶段（击穿） 外施电压小于U0时的放电是非自持放电。电压到达U0后，电流剧增，间隙中电离过程只靠外施电压已能维持，不再需要外电离因素。 自持放电起始电压 高电压工程基础 2、电子崩的形成（BC段电流剧增原因） 高电压工程基础 放电由非自持向自持转化的机制与气体的压强和气隙长度的乘积(pd)有关： 汤逊理论(pd值较小) 流注理论(pd值较大) 共同理论基础：电子碰撞电离形成电子崩。 2、电子崩的形成 高电压工程基础 外界电离因素在阴极附近产生了一个初始电子，如果空间电场强度足够大，该电子在向阳极运动时就会引起碰撞电离，产生一个新的电子，初始电子和新电子继续向阳极运动，又会引起新的碰撞电离，产生更多电子。 2、电子崩的形成 高电压工程基础 依此，电子将按照几何级数不断增多，类似雪崩似地发展，这种急剧增大的空间电子流称为电子崩。 电子崩形成示意图 电子崩 高电压工程基础 2、电子崩的形成 电子碰撞电离系数α：代表一个电子沿电力线方向行经1cm时平均发生的碰撞电离次数。 高电压工程基础 均匀电场 α不随x变化 新增电子数 回路电流 三、自持放电条件 高电压工程基础 汤逊理论(pd值较小) 流注理论(pd值较大) 要达到自持放电的条件，必须在气隙内初始电子崩消失前产生新的电子（二次电子）来取代外电离因素产生的初始电子。 实验现象表明，二次电子产生的机制与气压和气隙长度的乘积(pd)有关： 1、pd 值较小的情况（汤逊理论） 高电压工程基础 1903年,由英国人汤逊(J.S.Townsend)根据试验事实，提出了比较系统的气体放电理论，阐述了气体放电过程，并确定出放电电流和击穿电压之间的函数关系。汤逊气体放电理论最早定量地解释了气体放电理论。 适用条件：均匀电场，低气压，短间隙。 1、pd 值较小的情况（汤逊理论） （1）汤逊自持放电判据 高电压工程基础 在电场作用下，正离子向阴极运动，由于它的平均自由行程长度较短，不易积累动能，所以很难使气体分子发生碰撞电离。 但当正离子撞击阴极表面时却有可能引起表面电离而拉出电子，部分电子和正离子复合，其余部分则向着阳极运动形成新的电子崩。 电子碰撞电离系数α ：一个电子沿电力线方向行经1cm时平均发生的碰撞电离次数。 阴极表面电离系数γ ：一个正离子撞击阴极表明时从阴极表面平均逸出的自由电子数。 1、pd 值较小的情况（汤逊理论） （1）汤逊自持放电判据 高电压工程基础 如果电压足够大，初始电子崩中的正离子在阴极上产生出来的新电子等于或大于n0，即使除去外界电离因子的作用，放电也不会停止，这就变成了自持放电。 均匀电场中自持放电的条件： 将电子崩和阴极上的γ过程作为气体自持放电的决定因素是汤逊理论的基础。 高电压工程基础 汤逊理论的实质： 气体间隙中发生的电子碰撞电离是气体放电的主要原因(电子崩)。 二次电子来源于正离子撞击阴极表面逸出电子，逸出电子是维持气体放电的必要条件。 所逸出的电子能否接替起始电子的作用是自持放电的判据。 （2）气体击穿的巴申定律 高电压工程基础 1889年,巴申（Paschen）从大量实验中总结了击穿电压Ub与pd的关系，称为巴申定律。 当气体和电极材料一定时，气隙的击穿电压是气体压力p和气隙距离d乘积的函数，即： 高电压工程基础 （2）气体击穿的巴申定律 对应于某一pd值，空气间隙的击穿电压最低。即Ub有极小值。 原因：为使放电达到自持，电子从阴极到阳极的整个行程中需完成足够多次数的碰撞电