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第一性原理研究MoS2的电子结构及光学性质.PDF
第39 卷第6 期 Vol.39 No.6 井冈山大学学报( 自然科学版)
2018 年11 月 November 2018 Journal of Jinggangshan University (Natural Science) 7
井冈山大学学报( 自然科学版) 7
文章编号：1674-8085(20 18)06-0007-07
第一性原理研究MoS2 的电子结构及光学性质
*
范哲梅，蒋立鹏，伍冬兰
(井冈山大学数理学院，江西，吉安 343009)
摘 要：为了系统深入地研究 MoS2 的电子能带结构和光电性质，基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方
法，计算和分析了材料 MoS2 的电子结构及其光学性质，给出了MoS2 的能带结构、光吸收谱、电子态密度、能
量损失谱、反射谱、介电函数谱等光学性质。计算结果表明：体材料 MoS2 的电子跃迁形式是非垂直跃迁，具有
间接带隙的半导体材料，带隙宽为1.126 eV ；价带和导带的形成是由Mo 和S 的价电子起作用产生的。通过分析
其光学性质，发现 MoS2 的介电函数的实部和虚部的峰值都出现在低能区，当光子能量的升高，介电函数值会缓
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慢降低；材料MoS2 对可见紫外区域的光子具有很强的吸收，最大吸收系数为3.17×10 cm ；MoS2 在能量为18.33eV
位置出现了共振现象，其它区域内能量的损失值都趋于为 0，说明电子之间共振非常微弱。这些光学性质奠定了
该材料在制作微电子和光电子器件方面的作用，尤其是在紫外探测器应用方面有着潜在的应用前景，为未来对
MoS2 材料的进一 研究提供理论参考。
关键词：第一性原理；MoS ；电子结构；光学性质
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中图分类号：O561.3 文献标识码：A DOI:10.3969/j .issn.1674-8085.20 18.06.002
THE FIRST-PRINCIPLES STUDY OF ELECTRIC STRUCTURE AND
OPTICAL-ELECTRICAL CHARACTERISTIC OF MOS2
*
FAN Zhe-mei, JIANG Li-peng, WU Dong-lan
(School of Mathematic and Physical, Jinggangshan University, Ji ’an, Jiangxi 343009, China)
Abstract: To study the electronic energy band structure and photoelectric properties of molybdenum disulfide
(MoS )systematically, we use the first-principles plane wave pseudopotential method under
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