110GHz以上固态功率放大器的发展现状.PDFVIP

第 11 卷 第 6 期 太赫兹科学与电子信息学报 Vo1．11，No．6 2013 年 12 月 Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology Dec．，2013 文章编号：2095-4980(2013)06-0836-06 110 GHz 以上固态功率放大器的发展现状 刘 杰，张 健 ( 中国工程物理研究院 电子工程研究所，四川 绵阳 621999) 摘 要 ：基于近几年的文献报道，综述了 110 GHz 以上固态功率放大器的现状和电路结构。 归纳了每个固态放大器的工作频率、制作工艺、最大输出功率(Psat) 、最大输出的压缩增益、小信号 增益、1 dB 压缩点增益(P-1) ，功率附加效率(PAE) 、带宽等指标。对每个固态放大器的电路结构进 行了总结，讨论了这些电路结构在太赫兹频段的应用。并根据 ITRS 的文献展望了未来固态晶体管 的发展。最后讨论了未来太赫兹固态功率放大器集成到太赫兹数模系统的方式。 关键词 ：太赫兹；功率放大器；集成电路；InP 器件；SiGe 器件 ；GaAs 器件 ；CMOS 器件 ； GaN 器件 中图分类号 ：TN713.+ 3 文献标识码 ：A doi ：10.11805/TKYDA201306.0836 An overview of 110 GHz and above solid-state power amplifiers and circuit topology LIU Jie，ZHANG Jian (Institute of Electronic Engineering，China Academy of Engineering Physics，Mianyang Sichuan 621999，China) Abstract： An overview of 110 GHz and above solid-state integrated circuit power amplifiers and circuit topology is presented based on the latest device technologies in the past several years. The frequency, process, the maximum output power(Psat), the compression gain, small signal gain, gain of 1 dB compression point(P-1), power added efficiency(PAE), bandwidth of those amplifiers/power amplifiers are summarized. The circuit topologies of those amplifiers/power amplifiers and their applications in terahertz regime are discussed. The development trends of future solid -state transistor are expected according to ITRS literatures. The future technologies of