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第 27 卷 第 1 期 无 机 材 料 学 报 Vol. 27 No. 1
2012 年 1 月 Journal of Inorganic Materials Jan., 2012
文章编号: 1000-324X(2012)01-0064-05 DOI: 10.3724/SP.J.1077.2012.00064
基底温度对直流溅射 Nb 掺杂 TiO2 薄膜性能的影响
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黄 帅 , 李晨辉 , 孙宜华 , 柯文明
(1. 华中科技大学 材料成型与模具技术国家重点实验室, 武汉 430074; 2. 三峡大学 机械与材料学院, 宜昌
443002)
摘 要: 采用陶瓷靶直流磁控溅射, 以玻璃为基底制备2.5wt% Nb 掺杂 TiO2 薄膜, 控制薄膜厚度在 300~350 nm, 研
究了不同基底温度下所制得薄膜的结构、形貌和光学特性. XRD 分析表明, 基底温度为 150℃、250 ℃和 350℃时, 薄
膜分别为非晶态、锐钛矿(101)和金红石相(110)结构. 基底温度 250 ℃时, 锐钛矿相薄膜的晶粒尺寸最大, 约为
32 nm. 薄膜表面形貌的 SEM 分析显示, 薄膜粗糙度和致密度随基底温度升高得到改善. 薄膜的平均可见光透过率
在基底温度为 250 ℃以内约为 70%, 随基底温度升高至 350℃, 平均透过率下降为 59%, 金红石相的存在不利于可
见光透过. Nb 掺杂 TiO2 薄膜的光学带宽在 3.68~3.78 eV 之间变化. 基底温度为 250 ℃时, 锐钛矿相薄膜的禁带宽度
最大, 为 3.78 eV.
关 键 词: 基底温度; TiO2 ; 直流磁控溅射; 陶瓷靶; 显微结构; 光学特性
中图分类号: TQ174 文献标识码: A
Influence of the Substrate Temperature on the Properties of Nb-doped TiO Films
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Deposited by DC Magnetron Sputtering
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HUANG Shuai , LI Chen-Hui , SUN Yi-Hua , KE Wen-Ming
(1. S
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