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第十一章 半导体的热电性质 前言 所谓热电效应，即指把热能转换为电能的过程。 半导体具有比金属大得多的温差电动势，也就是说，在热 能与电能的转换过程中，半导体具有较高的转换效率。 半导体的热电性质已在温差发电、半导体制冷等方面得到 了广泛的应用。 前言 半导体的热电效应与金属材料的热电效应一样，主要有： 塞贝克效应（德国物理学家，1821年发现） 铂耳贴效应（法国物理学家，1834年发现） 汤姆孙效应（英国物理学家，1852年发现） 第十一章Part 1 第十一章Part 1 11.1 热电效应 11.2 半导体的热导率 11.1热 电 效 应 一、塞贝克效应 在如图所示的结构中，n 型半导体的两端与同一种金属接触，并保持有温 度差△T ，此时回路中便有电流产生，该电流称为温差电流，产生该电流的电 动势称为温差电动势。这种由于两端存在温度差而产生电动势的现象称为塞贝 克效应。 一、塞贝克效应 对于 n 型半导体材料来说，电子浓度 n0 由掺杂控制，并随温度的上升 按指数规律增大。即 3 * 2m k T2  E E  n 2 n o exp  c F  0 h3  k T   o  因此，半导体高温端的电子浓度大于低温端的电子浓度，在半导体材料 内产生了电子浓度梯度。所以，电子就由高温端（即高电子浓度端）向低温 端（即低电子浓度端）扩散，并在低温端积累有净的负电荷，高温端则由于 电子离开而积累有净的正电荷，在半导体中产生电场，电场方向沿电子浓度 梯度的反方向，即由高温端指向低温端。这个电场的存在必将引起电子沿着 与扩散方向相反的方向作漂移运动。当漂移和扩散达到动态平衡时，即在半 导体两端产生一稳定的电动势 V ，即温差电动势，其方向高温端为正，低 s 温端为负。 一、塞贝克效应 半导体中塞贝克效应的温差电动势（以n型半导体为例）为： V  T s 其温差电动势率（即塞贝克系数）为： E E 3 k  ( c F  0 ) qT 2 q 对于 P 型半导体材料可作类似的讨论，P型半导体材料的温差电动势的方 向与n型半导体相反。根据这一点可以用温差电动势的方向来判断半导体材料 的导电类型。 由于半导体的赛贝克系数比金属的大得多，所以，可用来制作 温差发电装置（热能转化为电能）。 二、珀耳贴效应 在如图所示的结构中，当半导体的两端与同一种金属接触，并在半导体 两端施加一电压，使回路中有电流流过时，在半导体与金属的接触面处有吸热 或放热产生，这一现象称为半导体的珀耳贴效应。半导体的珀耳贴效应是可逆 的。 二、珀耳贴效应 以P型半导体和金属相接触为例来说明珀耳贴效应：金属与半导体的接触为 欧姆接触，平衡时金属和半导体有统一的费米能级。当电流由金属流向半导体 时，在金属中，空穴处于 EF 附近，而半导体中 EF 的位置比价带顶E V 高出 EF - E V ，即半导体中价带顶的空穴能级比金属中的空穴能级高。所以，金属中的空 穴至少要吸收 EF – E V 的能量才能通过接触面进入半导体（实际过程