集成电路版图复习课答案总结(最终版).docxVIP

1、描述集成电路工艺技术水平的五个技术指标及其物理含义 = 1 \* GB2 ⑴　集成度(Integration Level)：以一个IC芯片所包含的元件(晶体管或门/数)来衡量，（包括有源和无源元件）。 = 2 \* GB2 ⑵　特征尺寸 (Feature Size) /（Critical Dimension）：特征尺寸定义为器件中最小线条宽度(对MOS器件而言，通常指器件栅电极所决定的沟道几何长度)，也可定义为最小线条宽度与线条间距之和的一半。 = 3 \* GB2 ⑶　晶片直径(Wafer Diameter)：当前的主流晶圆的尺寸为12吋(300mm)，正在向18吋(450mm)晶圆迈进。 = 4 \* GB2 ⑷　芯片面积(Chip Area)：随着集成度的提高，每芯片所包含的晶体管数不断增多，平均芯片面积也随之增大。 = 5 \* GB2 ⑸　封装（Package）：指把硅片上的电路管脚，用导线接引到外部接头处，以便于其它器件连接。封装形式是指安装 HYPERLINK /view/1105256.htm \t _blank 半导体集成电路芯片用的外壳。 2、简述集成电路发展的摩尔定律。 集成电路芯片的集成度每三年提高4倍，而加工特征尺寸缩小 倍，这就是摩尔定律。当价格不变时， HYPERLINK /view/1355.htm \t _blank 集成电路上可容纳的 HYPERLINK /view/30363.htm \t _blank 晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍 3、集成电路常用的材料有哪些？ 集成电路中常用的材料有三类：半导体材料，如Si、Ge、GaAs?以及InP?等；绝缘体材料，如SiO2、SiON?和Si3N4?等；金属材料，如铝、金、钨以及铜等。 4、集成电路按工艺器件类型和结构形式分为哪几类，各有什么特点。 　　双极集成电路：主要由双极晶体管构成（NPN型双极集成电路、PNP型双极集成电路）。优点是速度高、驱动能力强，缺点是功耗较大、集成度较低。 　　CMOS集成电路：主要由NMOS、PMOS构成CMOS电路，功耗低、集成度高，随着特征尺寸的缩小，速度也可以很高。 　BiCMOS集成电路：同时包括双极和CMOS晶体管的集成电路为　BiCMOS集成电路，综合了双极和CMOS器件两者的优点，但制作工艺复杂。 5、解释基本概念: 微电子、集成电路、集成度、场区、有源区、阱、外延 微电子：微电子技术是随着集成电路，尤其是超大型规模集成电路而发展起来的一门新的技术。微电子技术包括系统电路设计、器件物理、工艺技术、材料制备、自动测试以及封装、组装等一系列专门的技术，微电子技术是微电子学中的各项工艺技术的总和。微电子学是研究在固体（主要是半导体）材料上构成的微小型化电路、电路及微电子系统的电子学分支。 集成电路：通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件，按照一定的电路互连，“集成”在一块半导体单晶 片（如硅或砷化镓）上，封装在一个外壳内，执行特定电路或系统功能。 集成度：集成电路的集成度是指单块芯片上所容纳的元件数目。集成 度越高，所容纳的元件数目越多。 场区：在微电子学中，场区是指一种很厚的氧化层，位于芯片上不做晶体管、电极接触的区域，可以起到隔离晶体管的作用。 有源区和场区是互补的，晶体管做在有源区处，金属和多晶硅连线多做在场区上。 有源区：硅片上做有源器件的区域。（就是有些阱区。或者说是采用STI等隔离技术，隔离开的区域）。业内通俗的把有后续杂质注入的地方就都叫做有源区。 阱：CMOS集成电路制造的过程中制备的第一层。 如果在N型衬底上扩散P型区，就叫做P阱区；如果在P型衬底上扩散N型区，就叫做N阱区； 外延：外延是半导体工艺当中的一种。在bipolar工艺中，硅片最底层是P型衬底硅（有的加点埋层）；在单晶衬底（基片）上生长一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶层，犹如原来的晶体向外延伸了一段，称外延层。 6、解释一些英文缩写词： IC、VLSI、ULSI、CMP、CVD、LPCVD、RIE、SOI、ERC、DRC、EXT等 IC(Integrated Circuit)集成电路 VLSI（Very-Large-Scale Integration）超大规模集成电路 ULSI（Ultra-Large-Scale Integration）特大规模集成电路 CMP（Chemical Mechanical polishing）化学机械平坦化 CVD (Chemical Vapor Deposition)化学汽相淀积 LPCVD （Low Pressure Chemical Vapor Dep