集成电路器件与SPICE模型.pdfVIP

第6章 集成电路器件 6.1 无源器件结构及模型 集成电路中的无源元件包括:互连线、电阻、电 容容、、电感电感、、传输线等传输线等 1 6.1.1 互连线 在混合集成电路和单片集成电路的衬底上，互连线大多数是由金属薄层形成的条带。 不同衬底上的电路的互连可能用到金属裸线或电缆。 互连线设计应该注意以下方面： 尽量短：减小信号或电源引起的损耗、减小芯片面积 最小宽度最小宽度：：传输微弱电流传输微弱电流，，提高集成度提高集成度 保留足够的电流裕量：传输大电流 多层金属：提高集成度 趋肤效应和寄生参数 （ ） 微波和毫米波 寄生效应：传导电阻实现低值电阻； 寄生电容用作微波或毫米波信号的旁路电流。 2 深亚微米阶段后，互联线的延迟已经超过逻辑门的延迟，成 为时序分析的重要组成部分 应采用链状RC网络、RLC网络 或进一步采用传输线来模拟互联线 常见的寄生效应有串联寄生电阻、并联寄生电容 电源和地之间，电阻造成直流和瞬态压降； 长信号线上，分布电阻电容带来延迟； 导线长距离并行或不同层导线交叉时，带来相互串扰问题 为了保证模型的精准度和信号的完整性，需要对互联线的版 图结构进行约束和规整图结构进行约束和规整 典型的串联寄生电阻值： 金属0.05Ω/ □，多晶硅10-15Ω/ □，扩散区20-30Ω/ □ 简单长导线的寄生模型 33 单位长度电容，经验计算公式： w w 0.25 w 0.5 C e [  0.77 1.06( )  1.06( ) ] h h h 简单并联寄生电容 复杂互联线的寄生电容是由许多简单的寄生电容叠加而形成的 4 6.1.2 电阻 电阻是模拟电路的最基本的元件，在集成电路中有 多种设计和制造方法，分为无源电阻和有源电阻  实现电阻有4种方 ： 1.晶体管结构中不同材料层的片式电阻 2.专门加工制造的高质量高精度电阻 3.互连线的传导电阻 4.有源电阻 5 电阻的计算 R =ρL/ dW=(ρ/d)L/W 方块电阻方块电阻 薄层导体的电阻R 与L/W成正比，当L=W时，有R=ρ/d。 定义比例系数ρ/d 为方块电阻(用R□表示)，单位为欧姆。 R□表示一个正方形材料的薄层电阻,它与正方形边长的大 小无关, 只与半导体的掺杂水平和掺杂区的结深 （即材料厚 度）有关。 R□=ρ/d R= R□L/W  1.晶体管结构中不同材料层的片式电阻 双极型硅工艺：掩埋集电极的N+层，2-10 Ω/ □ 基极P-层，KΩ/ □ CMOS工艺：阱区形成片式电阻 优点：实现10Ω-10KΩ的电阻值 缺点缺点：：晶体管结晶体管结构材料层构构材料层构成成，，导致电阻随工艺和温度变导致电阻随工艺和温度变 化较大  2.专门加工制造的高质量高精度电阻 CMOS工艺：多晶硅形成薄膜电阻 GaAs工艺：镍、铬金属共同蒸发形成薄膜