存储器第12章_清华大学数字集成电路分析与设计.pdfVIP

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2019-01-25 发布于浙江
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存储器第12章_清华大学数字集成电路分析与设计.pdf

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第12章半导体存储器（Semiconductor Memories）分类（Classification ）结构（Architecture ）内核（Core ）－存储单元和阵列外围电路（Periphery ）可靠性（Reliability ） 2007年12月28日半导体存储器分类分类方法：容量、功能、存取方式、存储机制等 a)只读存储器（Read-Only，ROM ），如Mask ROM b)可读写存储器（Read-Write，RWM ），如SRAM，DRAM c) 非易失性可读写存储器（Nonvolatile Read-Write ， NVRWM ），如EPROM，EEPROM，FLASH Read-Write Non-Volatile Random Non-random Read-Only Read-Write Access Access FIFO EPROM SRAM LIFO Mask-ROM EEPROM DRAM Shifter Reg PROM FLASH CAM Digital IC Analysis Design —Memories 2007-12-28 2 时序定义读周期读出时间读出时间写周期数据有效写入时间数据写入读周期（Read cycle ）：两次连续的读操作之间最小的时间间隔写周期（Write cycle ）：两次连续的写操作之间最小的时间间隔读出时间（Read access ）：读请求到输出数据有效的时间写入时间（Write access ）：写请求到数据写入到存储器的时间 Digital IC Analysis Design —Memories 2007-12-28 3 存储器结构 M位 M位 S 0 S0 Word 0 Word 0 S1 Word 1 A Word 1 0 N S2 Word 2 存储 A 1 r Word 2 存储