第2章 集成电路工艺原理.pptVIP

集成电路工艺原理 复旦大学微电子研究院 2003.8 第四章 扩散 (Diffusion) 二 扩散法优点 四 硅体内杂质原子的扩散机构 §4.3 扩散方程及其解 分布曲线的特点 可见： 1，C2与C1成正比，与D2、t2的平方根成反比； D2愈大（即T愈高）、t2愈长，C2则愈低。 产生原因： 由于P的扩散使得大量间隙迁移到发射区下方基区，加快了硼的扩散，即原子半径差异较大的高浓度杂质进入造成晶格畸变，产生失配位错，使基区沿位错处扩散增强－基区下陷; §4.5 扩散工艺参量与扩散工艺条件的选择 三，表面杂质浓度NS 在结深相同的情况下，预淀积的杂质总量越大， 再分布后的表面浓度NS2就越大； 再分布过程中，扩散与氧化同时进行，有一部分杂质Q2要积聚到所生长的SiO2层中；则，表面浓度可由预淀积杂质总量Q和积聚到氧化层中的杂质总量Q2来控制； 如生产时发现基区硼扩散预淀积杂质总量过大（即RS1太小），则可以缩短开始通干氧的时间，使更多的杂质积聚到SiO2层中，以使再分布后的基区表面浓度NS2符合设计要求； 四 扩散温度与扩散时间的选择 （3）NS1可间接确定，原则：NS1NS2；由NS1确定 T。 一般认为NS1是相应扩散温度下的固溶度，由杂质固 溶度曲线选定要达到NS1的扩散温度； （4）由选定的T，查出相应的D1； (二） 扩散杂质的选择 2，可供选择的P型杂质有In、Al、Ga和B，其中： As：蒸汽压高，不易控制，且扩散系数比B小，有剧毒，使用不便； 源： Sb2O3 : SiO2 = 1 : 4 (粉末重量比) 2Sb2O3 + 3Si = 4Sb + 3SiO2 要求： Rs 20 Ω/? 问题： 源易粘片、硅片易变形、重复性差、产量小、硅片表面易产生合金点，影响外延质量，难获高的表面浓度; 改进： 采用SbCl3、Sb(C2H5O)3和乳胶源扩散，改善了表面质量，但高浓度扩散仍难以达到； Sb扩散较理想的方法： 3. 片状源扩散 二、液态源扩散 源：B — B(CH3O)3 ; P — POCl3 反应方程： P: 5POCl3 = P2O5 + 3PCl5 2P2O5 + 5Si = 5SiO2 + 4P 4PCl5 +5O2 = 2P2O5 + 10Cl2↑ B: 2B(CH3O)3 + 9O2 = B2O3 +6CO2↑+ 9H2O 2B2O3 + 3Si = 3SiO2 + 4B 特点： 自动化程度高，杂质量控制精确 § 4. 7 扩散层质量检验 §4.8 扩散工艺常见的质量问题及分析 2，表面黑点或白雾 4，表面氧化层颜色不一致—通常是用CVD预淀积时氧化层厚度不均匀；有时也可能是扩散时气路泄漏引起气流紊乱或气体含有杂质，使扩散过程中生长的氧化层不均匀所致； 二，漏电流大 5，隔离扩散深度和浓度不够，造成岛间漏电流大； 三，薄层电阻偏差 四，器件特性异常 （2） 低压击穿： 2，从工艺上提高晶体管 共发射极电流放大系数?的途径: B、P微晶玻璃的处理 无需活化处理，只需脱脂、烘干即可使用 片状源扩散装置示意图 利用气体(如N2)通过液态杂质源，携带着杂质蒸汽进入高温扩散反应管，杂质蒸汽在高温下分解，并与硅表面硅原子发生反应，释放出杂质原子向硅中扩散。 磷预淀积装置示意图 三、 涂布掺杂法(spin-on-glass) 用法：在相对湿度30－60%的涂胶台内，用涂布法在Si表面涂布一层均匀的掺杂二氧化硅乳胶源，然后在 200 －400℃下烘焙 15－30 分钟，以去除薄膜上残留的溶剂,初步形成疏松的SiO2薄膜，最后作高温扩散。 源： As (arsenosilica)； Sb (antimonysilica)； B (borosilica)； P (phosphorosilica); 根据Rs和Xj要求决定扩散温度和时间 特点 ：掺杂元素多、浓度范围广；特别适合砷（As）扩散 一、薄层电阻的测量 1，四探针法条件：待测样品的长、宽比探针间距大很多 条件：待测样品的长、宽比探针间 C由样品指针间距S、样品长度L、样品宽度a、样品厚度d等尺寸决定； 用二探针来测量会造成金半接触少子注入，接触处有较大附加压降等问题； 条件：待测样品的长、宽比探针间距大很多 2，范德堡测试图