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2.1 理想本征集成双极晶体管的EM模型
所谓理想本征晶体管的EM模型,是指在分析其
集成电路设计概论
集成电路设计概论 性能时不考虑寄生效应情况下建立的模型。
实际集成电路中的双极晶体管为四层三结结构
，如图2.1所示，各个电极均从表面引出，且各结
第2 章 面积不同。通常在分析晶体管的直流特性时可以简
第2 章
化为图2.1(a)中虚线所示的一维结构。
在图2.1(b)中，PNP管为寄生晶体管，在实际
电路中此寄生晶体管是否起作用，要看该管的发射
集成电路中的晶体管及其寄生效应
集成电路中的晶体管及其寄生效应 结偏置电压而定(因为该管的集电结总是反偏的)，
通常两种情况均有。
CH2 集成电路中的晶体管及其寄生效应 1 CH2 集成电路中的晶体管及其寄生效应 2
S C E B 下图是晶体管的四种工作状态，由图可见当
N+ N+ NPN晶体管工作于饱和区或反向工作状态时，集
P+ P P+
N-epi 电结均处于正向偏置，此时寄生PNP管的发射结
+ +
N -BL
N -BL 处于正向偏置，因而PNP管处于正向工作状态，
P-SUB
于是就有电流流过C-S结，这样就会严重影响集
(a)
E 成电路的正常工作。
+ IE
E(N )
V
+
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