电子在半导体多势垒结构中隧穿现象的研究与进展.pdf

维普资讯 第25卷 第4期 固体电子学研究与进展 Vo1．25。No．4 2005年 I1月 RESEARCHPROGRESSOFSSE NOV．。2005 、 器件物理 、 电子在半导体多势垒结构中 隧穿现象的研究与进展 王洪梅 刘丕均 张亚非 (薄膜与微细技术教育部重点实验室，微米 ／纳米加工技术国家级重点实验室， 上海交通大学微纳科学技术研究院，上海 ，200030) 2003—09—22收稿 ，2003一ll—l8收改稿 摘要：文中以探索多势垒结构的电子隧穿物理及其器件结构与性能为出发点，论述了多势垒结构隧穿现象 的研究与进展。概述了一维半导体异质结构隧穿现象的解析解和数值计算。重点介绍了电子通过半导体双势垒 结构产生隧穿现象的研究进展，即电子通过双势垒结构横纵波矢的耦合行为与共振准能级及共振准能级寿命的 解析计算。 关键词：势垒；隧穿现象；耦合；共振准能级；寿命 中图分类号：0471 文献标识码：A 文章编号：1000—3819(2005)04—450—06 Research andDevelopmentofTunnelingEffectthrough SemiconductorM ulti．．barrierStructures WANGHongmei LIU Pijun ZHANGYafei (KeyLaboratoryfor71^ FilmandMicrofabricationoftheMinistryof Education．ResearchInstituteof Micro／NanoScienceTechnology，ShanghaiJiaoTongUniversity，Shanghai，200030。CHN) Abstract：Starting from investigatingthephysicalpropertiesoftunneling effectthrough semiconductormulti——barrierstructuresandoptimizingthestructuresandperformanceofelec—— tronicdevices，thispaperdiscussestheresearch and developmentoftunneling effectthrough semiconductormulti—barrierstructures．Analyticalsolutionsandnumericalexamplesoftunnel— ingeffectthroughone—dimension semiconductorheterostructureshavebeen summarized．Re— search and developmentoftunneling effectthrough semiconductordoublebarrierstructures havebeenstressed．Itincludesresonantquasi—levelsofcouplingbetweentransverseandlongi— tudinalwave through symmetricaldoublebarrierstructuresand analyticalcalculation ofthe resonantquasi—levellifetimein