耐高温低压降大功率整流器的设计与研究.PDFVIP

》》 设计应 用 耐高温低压降大功率整流器的设计与研究 海湾电子（山东）有限公司　岳跃忠　董志强　侯志刚 济南市半导体元件实验所　刁翠玲 文章基于用户对大功率整流器件的抗高温特性及低正向压降的技术要求，创新性地采用新型扩散纸源并提出三次光刻工艺。该专项着重研究了扩散时间对结深 【摘要】 及正向压降的影响关系，最终流片出符合设计要求的低正向压降整流器管芯。笔者最后将本项目研制的耐高温、低压降、大功率整流器管芯组装成成品，同常规整流器 组装成品进行了比较，前者的正向压降特性显著地优于后者。 半导体器件；整流器；低正向压降；耐高温；低功耗 【关键词】 + + 钝化膜来钝化PN结，绝缘性钝化膜不能有效 1.引言 V +V =K +αkT/e×lnJ P N 0 近年来，大功率整流器向抗高温能力 式中：J为电流密度，Ko为常数(取决于 防止器件表面电荷积累或离子沾污，这些电 强、稳定性强、低功耗方向发展，成为了制 温度及掺杂情况)，α为由电流密度决定的参 荷能在靠近硅衬底表面处感生出相反极性的 约整流管芯生产的技术瓶颈。大功率整流器 数， 电荷，从而改变表面电导率；另外载流子注 要求在不同环境温度下的正常工作，以充分 D 为大注入下双极扩散系数，τ为大注 入到绝缘膜中能长期停留形成存储，也会使 H H 满足可靠性、稳定性和耐高温特性的技术要 入载流子寿命。 器件表面电导率发生改变，这些都会导致PN 求。如何能够减少整流芯片在工作时的自身 从公式来看，减薄基区宽度、提高并 结反向击穿电压降低，在高温时材料失效。 发热量，降低芯片工作时的功耗，并且有效 保持少数载流子的寿命有助于减小正向压 为提高抗高温能力，采用半绝缘多晶 提高整流芯片的抗高温能力，成为目前芯片 降。 硅和二氧化硅多层结构进行钝化报告PN结， 的研究发展方向。 3.抗高温低压大功率整流器设计方案 由于半绝缘多晶硅本身具有：电中性、与硅 该项目，基于最大限度的将功耗降到 3.1 降低正向压降设计 接触在界面不存在高能势垒、膜内有高密度 最低的指标要求。 ①为了减薄基区宽度，采用filmtronics 陷阱。SIPOS钝化层表面被离子沾污后，会 2.抗高温低正向压降大功率整流器设 特殊的纸源，提高扩散温度，比常规的扩散 在表面附近感应出相反极性的电荷，这些电 计原理 温度提高25℃，为保证提高结的平整度，延 荷漂移到钝化层内将和外表面电荷中和，或 正向压降(VF)是在一定的正向电流条件 长扩散时间，扩散后测量结的平整度在3um 被钝化层内的陷阱捕获，从而形成一个空间 下降落于二极管上的电压降，它决定了二极 之内，保证了整个耐压区宽度的同时，将基 电荷区，这层空间电荷区对外加电场具有屏 管的正向功耗，如图1所示。其中V ，V ，