穿透式电子显微镜试片制备技术简介.PDF

「一一一一一一一才是許諾伊一一一一一一一「l 穿透式電子顯微鏡試片製備技術簡介 自從 1 9 3 4 年 Rus ka 氏在實驗室製作第 4 修薄試片 : 將試片取下後 ， 最後裝載上離子 一部穿透式電子顯微鏡 ( t rans mi s s i on e lec tro n j咸薄機 ( i on miller) 中 ， 調整離子東與試片之 m icroscop e , TEM) 後 ， TEM 已可針對材料的細 間的角度及離子束的能量 ， 使離子束轟擊試 微結構進行檢測 ， 女口令更隨著高解析的商業電 片到界面處有破裂為止 ， 此時試片具備更薄 而適合觀察的厚度 。 子顯微鏡不斷推陳出新 ， 可提供奈米級以及原 這種製備方式的優點在於不需要過於昂 子級的晶體資訊及成分組成 。其原理係利用電 貴的設備 ， 且試片品質也較容易掌控 ， 但卻不 子與物質作用所產生的訊號來鑑定微區域晶體 結構 、 微細組織 、化學成分 、化學鍵結和電子 能提供較大的觀察薄區 ，也無法達到定點的要 分布情況 。 TEM 在材料科學上的重要貢獻包 求 。因此 ，若觀察分析的重點是在於寬又連續 含差排理論 、 機械性質 、 點缺陷 、 輻射損傷 、 性的形貌或是整片覆蓋薄膜的樣品 ，才適用這 離子佈植 、相變化 、動力學研究 、薄膜結構 、 種方法來製備 。 界面結構 、電子元件製程控制與失效分析 、 磁 性 、像對比理論 、非彈性散射理論 、電子光學 聚焦離子東技術 傳統的聚焦離子束系統所扮演的是支援積 系統 、表面位像 、微區域成分分析等 。對於此 類的研究 ，其樣品必須薄到 « 100 nm) 可以讓 體電路工業的角色 ， 主要的應用領域包含高解 電子束穿透才行， 因此製備高品質的穿透式電 析度二次電子或二次離子成像 、 配合氣體輔助 系統可以進行光罩或積體電路之修捕 ，如在石 子顯微鏡試片 ，在進行相關研究時成為舉足輕 重的角色 。本文將針對較常被運用到的 TEM 英光罩上進行區域性金屬之蝕刻與沉積 ，以及 試片製備技術進行簡介 ， 供使用者參考 。 進行穿透式電子顯微性試片製備與分析 。 一般以 F I B製備 TEM試片的方式有溝 渠法 (trench method) 、 外部取樣法 ( ex s