电解液pH值对电化学法制备的CIGS薄膜光电性能的.pdf

第 28 卷 第 2 期 无 机 材 料 学 报 Vol. 28 No. 2 2013 年 2 月 Journal of Inorganic Materials Feb., 2013 文章编号: 1000-324X(2013)02-0141-05 DOI: 10.3724/SP.J.1077.2013.12148 电解液pH 值对电化学法制备的 CIGS 薄膜光电性能的影响 孙保平, 庞 山, 胡彬彬, 杨光红, 万绍明, 杜祖亮 ( 河南大学 特种功能材料教育部重点实验室, 开封 475004) 摘 要: 以 F 掺杂透明导电玻璃(FTO)为基底, 利用一步电化学沉积法制备了 Cu(In ,Ga )Se (CIGS)薄膜, 系统地 1-x x 2 研究了电解液 pH 值对 CIGS 薄膜的化学组分、结构及其光电性能的影响。结果显示通过改变电解液 pH 值可以有 效调控薄膜中 In 和 Ga 的化学计量比。X 射线衍射(XRD)分析和扫描电子显微镜(SEM)结果表明, pH 值为 2.0 时制 备的 CIGS 薄膜结晶性较好, 颗粒尺寸分布均匀。并且利用表面光伏技术研究了不同化学计量比对 CIGS 薄膜中光 电荷动力学过程的影响, 结果表明 n(Ga)/n(In+Ga)约为 0.3 时, CIGS 薄膜的光电性能最好。 关 键 词: Cu(In Ga )Se 薄膜; 一步电沉积法; pH 值; 表面光伏 1-x x 2 中图分类号: O646 文献标识码: A Influence of pH Value in Electrolyte on Photovoltaic Performance of CIGS Thin-films Prepared by Electrochemical Method SUN Bao-Ping, PANG Shan, HU Bin-Bin, YANG Guang-Hong, WAN Shao-Ming, DU Zu-Liang (Key Laboratory for Special Functional Materials of Ministry of Education, Henan University, Kaifeng 475004, China) Abstract: Cu(In ,Ga )Se (CIGS) films were prepared by one-step electrodeposition method on FTO glass sub- 1-x x 2 strates, and the influence of electrolytic pH on the chemical composition, structure and photovoltaic performance of CIGS thin-films were studied in detail. The results showed that the stoichiometry of In and Ga in the