蓝宝石衬底上异质外延生长碳化硅薄膜的研究.pdfVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 = G $##$ G ， ， ， 9-’ ;= N- ; G 5R5.+ $##$ （ ） ###%)$@#O$##$O= #G O !@)%#= 8P 7CQF8 FNF8 %$##$ 803L ; 70I. ; -4 ; !!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!! 蓝宝石衬底上异质外延生长碳化硅薄膜的研究 王剑屏 郝 跃 彭 军 朱作云 张永华 （西安电子科技大学微电子研究所，西安 !##!） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） $## $ $##$ ! 报道了在蓝宝石（ ）衬底上采用 （ ）技术异质外延碳化硅薄膜材料 %’ ( *+,-./01234 /21..521 401,34*’ 6*/-2 789: ! $ ) 的研究 通过引入 族氮化物为中间的缓冲层，在 （ ）蓝宝石上成功地生长出 薄膜，经过四晶衍射分 ; % 8 ### 38 # 析，分别在 和 发现了 （ ）面和（ ）晶面族的对称衍射峰，显示 薄膜的晶体取向与 )= ?@A != #$A BC%38 ###B ###$ 38 （ ）面的衬底是相同的 扫描电子显微镜（ ）的观察显示薄膜表面连续、光滑，不要利用二次离子质谱仪 ### ; DE （ ）方法对生长膜层在纵向剖面的元素结构进行了分析，证明良好的氮化物缓冲层对碳化硅薄膜异质生长具有 FE 重要的意义; 关键词：碳化硅，外延生长，化学汽相淀积 ： ， !## BG== G=C 的是硅材料的熔点较低，因此在硅衬底上外延碳化 引 言 硅材料的结构耐高温（高于 ?## K ）的能力较差，而 高温是碳化硅器件工艺中所不可缺少的; 正是由于 碳化硅材料由于其良好的物理性质及化学性 这个原因，在硅材料上异质生长的碳化硅材料在制 质，受到越来越多的重视 与目前绝大多数半导体 作器件方面存在一些困难 为了克服这个困难，需 ; ; 器件的衬底材料硅相比，碳化硅材料的禁带宽度更 要找到一种材料制备工艺成熟，同时高温下化学性 宽，饱和漂移速度更大，临界击穿电场更高，热导率 质稳定的衬底材料; 也更高; 因而在军事、航天等高温、强辐射的环境下 蓝宝石是一种性能优良的绝缘材料，它的禁带