三缺位杂多阴离子Α-A-PW9O34的苯基硅衍生物的合成和晶体结构.PDFVIP

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2019-03-02 发布于天津
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三缺位杂多阴离子Α-A-PW9O34的苯基硅衍生物的合成和晶体结构.PDF

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V o l. 23 高等学校化学学报　　N o. 9　 2 0 0 2 年 9 月　　　　　　　CH EM ICAL JOU RN AL O F CH IN E SE U N IV ER S IT IE S　　　　　　　　　 1656～ 1659　三缺位杂多阴离子 - - 9- 的苯基硅 9 34 A PW O 衍生物的合成和晶体结构王敬平, 李明雪, 牛景扬 (河南大学化学化工学院, 开封 47500 1) 摘要　合成了三缺位杂多阴离子的苯基硅衍生物 ( ) [ ( ) ( ) ] ·2 (记为 1, TBA A PW O Ph SiO Ph Si H O 3 9 34 3 2 ) TBA 为四丁基铵阳离子 , 并由元素分析、红外光谱、紫外光谱对化合物进行了表征, 研究了化合物的热性质. 结构分析结果表明, 该化合物属三方晶系, 空间群 , 晶胞参数 = 14 16 96 ( 16) , = 142 1 63 ( 16) R 3 a nm b ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) 3 , = 14 16 6 1 16 , = 9980 1 17 °, = 99843 17 °, = 99844 17 °, = 2 7 11 1 5 . = 1, nm c nm V nm Z = 0 054 8. 该化合物的阴离子是由 1 个单元, 通过 6 个 — — 桥键与 3 个单元相连, R A PW 9 W O Si Ph SiO 3 个又通过 — — 桥键与另 1 个处于帽位的相连, 形成饱和闭合笼形结构. Ph SiO Si O Si Ph Si 关键词　苯基硅; 三缺位杂多阴离子; 合成; 晶体结构 + ( ) 中图分类号　 6 14. 6 1 3　　　　文献标识码　　　　　文章编号　02