均匀基区晶体管电流放大系数.PPTVIP

3-2 均匀基区晶体管的放大系数 3.2.1 晶体管的放大作用 3.2.2 注入效率 3.2.3 基区传输系数及电流放大系数 （1） 基区必须很薄，即WB LB ； 3.2.1 晶体管的放大作用 均匀基区晶体管：基区掺杂为均匀分布。少子在基区中主要作扩散运动，又称为 扩散晶体管。 缓变基区晶体管：基区掺杂近似为指数分布，少子在基区中主要作漂移运动，又称为 漂移晶体管。 2）晶体管起放大作用在结构上必须满足两个基本条件： （2） 发射区的杂质总量远大于基区，当WE 与WB 接近时，即要求 NE NB 。 1) 引言 晶体管放大电路有两种基本类型，即 共基极接法 与 共发射极接法 ，下面为共基极接法。 B E C B P N P NE NB NC IE IB IC 3）载流子的传输及电流放大系数的定义 忽略势垒区产生复合电流， 处于放大状态的晶体管内部的各电流成分如下图所示： ICBO 从 IE 到 IC ，发生了两部分亏损： InE 与 In r 。 要减小 InE ，就应使NE NB ； 要减小In r ，就应使WB LB 。 定义：发射结正偏，集电结零偏时的 IC 与 IE 之比，称为共基极直流短路电流放大系数，记为α，即： B E C B P N P NE NB NC IE IB IC 共发射极接法： 定义：发射结正偏，集电结零偏时的 IC 与 IB 之比，称为共发射极直流短路电流放大系数，记为β，即： E C B N P IE IB IC P E 根据 ，及 的关系，可得β与α之间有如下关系： 对于一般的晶体管，α= 0.950～0.995，β = 20～200 。 IF IR VE VC n p n IC IE E B C B αIE rE rC RL 4、共基极接法也能起放大作用吗? 共基极接法对电流没有放大作用，但对电压和功率都有放大作用。 定义：由发射结注入基区的少子电流 IpE 与总的发射极电流IE 之比，称为 注入效率（或 发射效率），记为 ，即： 5）电流放大系数中间参数的定义 定义：基区中到达集电结的少子电流 IpC 与从发射结注入基区的少子电流 IpE 之比， 称为 基区输运系数，记为β*，即： 由于空穴在基区的复合，使 JpC JpE 。 3.2.2 注入效率 定义：由发射结注入基区的少子电流 IpE 与总的发射极电流IE 之比，称为 注入效率（或 发射效率）， 记为 ，即： 当 WB LB 及 WE LE 时，有： 代入 γ 中得： 为提高 ，应使 NE NB ，即（NB /NE） 1 ，则上式可近似写为： 已知： ， 代入 中， 再利用爱因斯坦关系： ，得： 注意：DB 、DE 代表少子扩散系数，μB 、μE 代表多子迁移率。 得： 利用 方块电阻 的概念， 可有更简单的表达式。方块电阻表示一个正方形薄层材料的电阻，记为：R口 。 对于均匀材料： 对于厚度方向（x方向）上不均匀的材料： 对于均匀掺杂的发射区与基区，有： 中，可将 表示为最简单的形式： 代入前面得到的 公式 *