介电型吸波材料微结构设计及电磁性能优化-材料学专业论文.docx

摘 摘 要 西北工业大学博士学位论文 西北工业大学博士学位论文 I I PAGE PAGE IV 摘 要 近年来，民用、商业、军事等领域关键电子设备的工作频率提高到 X 波段（8.2～ 12.4GHz），相关电磁波吸收材料日益受到关注。介电型吸波材料是当前研究的焦点。常 规介电型吸波材料难以实现 X 波段全频电磁波反射系数小于-10dB 的要求。此外，吸收 为主导的电磁屏蔽材料及其轻量化设计是吸波材料领域的另一大难题，常规电磁屏蔽材 料难以实现比屏蔽效能大于 100dB·cm3/g 的要求。因此，迫切需要针对 X 波段发展新型 吸波材料以满足对电磁波宽频、强吸收的要求。 传统介电型吸波材料的微结构可归纳为吸波剂 B 相分散在透波基体 A 相中构成的两 相材料。本论文从吸波剂的微结构设计角度出发，引入中等损耗材料 C 相，优选设计了 以下几种由 B、C 相组成的异质结构复合材料作为吸波剂，构成 A/B/C 型吸波材料：介 电损耗型吸波剂，如 ZnO/ZnAl2O4 复相陶瓷；介电/电导复合损耗型吸波剂，如碳纳米管 （Carbon nanotubes, CNTs）、石墨烯与 ZnO、氧化铁（γ-Fe2O3）组成的复相陶瓷；电导 损耗型吸波剂，如 CNTs 修饰石墨烯。通过研究材料的成分、微结构对电磁性能的影响， 揭示异质界面的电磁波吸收机理，实现对电磁参数的可控设计，达到了 X 波段全频电磁 波反射系数小于-10dB 的目标。主要研究内容和结果如下： （1）以多孔 ZrSiO4 为 A 相、以 Al 掺杂 ZnO（Al-ZnO）为 B 相构成 A/B 型复相陶 瓷，研究了 ZrSiO4/Al-ZnO 复相陶瓷的吸波性能。阐述了 Al 掺杂对材料晶体形貌、载流 子浓度、极化能力和介电损耗的影响。随着掺杂浓度的增大，ZnO 颗粒形貌从球形颗粒 转变为花状。当 Al 掺杂过量时则会在材料内形成 ZnAl2O4 相，降低介电常数和介电损 耗。 （2）以石蜡为 A 相、ZnO 为 B 相、ZnAl2O4 为 C 相构成 A/B/C 型吸波材料，研究 了其电磁性能。阐述了亚微米 ZnO 颗粒结合中等损耗相 ZnAl2O4 纳米晶所形成的异质结 构对材料电磁性能的影响，揭示了异质界面对载流子浓度、迁移率、界面极化和介电性 能影响的机理。ZnO-ZnAl2O4 异质结构增强了材料的界面极化能力和介电损耗，材料最 小反射系数达到-25dB，有效吸收带宽覆盖整个 X 波段。 （3）以 SiO2 为 A 相、CNTs 为 B 相、ZnO 为 C 相构成介电/电导复合损耗型吸波材 料，研究了其电磁性能。揭示了材料在热处理过程中 CNTs 微结构以及 ZnO 晶格缺陷的 演化规律。材料的载流子浓度随氧空位增加而增大，导致了材料界面极化和介电损耗能 力显著增强，材料最小反射系数达到-70dB（相当于 99.99999%的电磁波能量被吸收）。 （4）以石蜡为 A 相、还原氧化石墨烯（RGO）为 B 相、γ-Fe2O3 纳米颗粒团簇为 C 相构成复杂纳米界面介电/电导复合损耗型吸波材料，研究了其电磁性能。揭示了纳米颗 粒团簇界面极化和 RGO 电导损耗对电磁波吸收性能影响的机理。材料最小反射系数达 到-59.7dB。 （5）以硅树脂为 A 相、RGO 为 B 相、原位生长的 CNTs 为 C 相构成电导损耗型吸 波材料，研究了其电磁性能。CNTs 通过 C-C 共价键结合原位生长在 RGO 表面。揭示 了 CNTs/RGO 异质界面对极化损耗和吸波性能影响的机理。所制备材料的最小反射系数 达到-55dB，有效吸收带宽为 3.5GHz。 （6）以硅树脂为 A 相、石墨烯泡沫（G）为 B 相、原位生长 CNTs 为 C 相构成具 有仿生海绵结构的材料。研究了其吸波和屏蔽性能。阐述了非晶态 CNTs 均匀生在在石 墨烯表面构成的三维多孔结构对电磁性能的影响。揭示了非晶态 CNTs 的缺陷、CNTs 与 G 之间界面的缺陷对载流子传输以及界面对电磁波吸收性能影响的机制。CNTs/G 复 合材料综合了低密度和强电磁波吸收的性能特点。CNTs/G 复合材料的电磁屏蔽机制以 吸收为主，比屏蔽效能达到当前已知的最高值 371dB·cm3/g。 关键词： 电磁波吸收；ZnO；ZnAl2O4；γ-Fe2O3；CNTs；graphene Ab Abstract 西北工业大学博士学位论文 西北工业大学博士学位论文 PAGE PAGE III PAGE PAGE IV Abstract In recent years, electromagnetic (EM) wave absorbing materials have aroused great intere