介观压容效应在传感器应用方面的研究-精密仪器及机械专业论文.docxVIP

图书分类号 TP212 密级 非密 UDC 硕 士 学 位 论 文 介观压容效应在传感器应用方面的研究 南小武 指导教师（姓名、职称） 温廷敦 教授 申请学位级别 工学硕士 专业名称 精密仪器及机械 论文提交日期 2011 年 5 月 31 日 论文答辩日期 2011 年 5 月 29 日 学位授予日期 年 月 日 论文评阅人 答辩委员会主席 2011 年 5 月 20 日 原 创 性 声 明 本人郑重声明：所呈交的学位论文，是本人在指导教师的指导 下，独立进行研究所取得的成果。除文中已经注明引用的内容外， 本论文不包含其他个人或集体已经发表或撰写过的科研成果。对本 文的研究作出重要贡献的个人和集体，均已在文中以明确方式标明。 本声明的法律责任由本人承担。 论文作者签名： 日期： 关于学位论文使用权的说明 本人完全了解中北大学有关保管、使用学位论文的规定，其中 包括：①学校有权保管、并向有关部门送交学位论文的原件与复印 件；②学校可以采用影印、缩印或其它复制手段复制并保存学位论 文；③学校可允许学位论文被查阅或借阅；④学校可以学术交流为 目的，复制赠送和交换学位论文；⑤学校可以公布学位论文的全部 或部分内容（保密学位论文在解密后遵守此规定）。 签 名： 日期： 导师签名： 日期： 中北大学学位论文 中北大学学位论文 介观压容效应在微型传感器器件应用方面的研究 摘 要 现代传感器的发展对其规格、灵敏度等特性提出更高的要求，微型化、高灵敏度 是新型传感器的进一步发展方向。半导体材料的发展，Ⅲ-Ⅴ族等半导体材料研究和制 备的成熟，使得异质结材料的许多物理特性被发掘出来，并应用到许多电子器件当中， 介观压阻效应就是以Ⅲ-Ⅴ族半导体异质结材料为基础提出来的新型的传感理论，即在 力学信号作用下，纳米结构中的应力分布将发生变化，一定条件下应力变化可引起内建 电场的产生，内建电场将导致纳米带结构中量子能级发生变化，量子能级变化会引起共 振隧穿电流变化，简言之，在共振隧穿电压附近通过上述四个物理过程可将一个微弱力 学信号转化为一个较强的电学信号。 以介观压阻效应制备的传感器件，经过实践检验，证明其具有更高的灵敏度，且可 使器件进一步的小型化，可以作为NMES传感器的一种理论基础，为了进一步丰富、探 索新型的传感理论，本文提出了介观压容效应，以及其作为传感器件理论应用的研究。 介观压容效应，是指在介观尺度下，异质结材料制备的可变电抗器件，外界一定的 力学信号作用下，引起材料应力分布的变化，进而发生应变，材料应变可以引起异质结 材料的势垒高度以及宽度发生变化，进而使得电抗器件的电容值发生变化，本文中我们 以一个双势垒共振隧穿（DBRT）结构的异质结电抗器为研究对象，分析其电容特性以 及在外界力学信号作用下的该结构应力应变对电容值产生的影响，从理论上得出力学信 号与其电容特性之间的关系，进而证明该介观压容效应可以作为一种微型传感器应用理 论基础。 本文从理论上证明了介观压容效应，并以介观压阻效应在传感器应用为基础，为微 型传感器应用在理论方面提供了新的思路。 关键词：介观压容效应、介观压阻效应、DBRT、微型传感器 Research about application of the meso-piezo-capacitive effect in the micro sensor devices Abstract With the development of modern sensor,therss to higher requirement for its characteristics of specifications and sensitivity, more miniaturization and higher sensitivity is the further development of new sensors direction. The development of semiconductor materials, such as Ⅲ - Ⅴ semiconductor,with the mature of whose research and preparation methods, making many of the material heterojunction physical characteristics were excavated, and applied to many electronic device.mesos-piezoresistive effect is a new type of sensing t