介电式非致冷红外焦平面阵列的基础研究-微电子学与固体电子学专业论文.docxVIP

华中科技大学博士学位论文摘 华中科技大学博士学位论文 摘 要 ＼围绕介电式非致冷红外焦平面阵列这一课题，作者在介电式铁电红外探测器的基本 原理和制作工艺所做的基础研究工作可以概括为以下几个主要内容。 根据热力学第一定律和探测器的基本电路，推导出了介电式铁电红外探测器信号检 测的电压响应度Rv的表达式。除了损耗电阻R和热导系数K及时间T外，电压响应度 Rv主要决定于红外吸收率小介电温度系数a和品质因子Q的乘积。介电温度系数Ⅱ， 和品质因子Q都是铁电体的材料常数，这就为介电敏感材料的选取提供了一个标准。1 研究了射频磁控溅射法制备BST薄膜的动力模型，根据等离子体动力学推导出了离 子的运动方程，从而指出了前驱体(靶材)的被溅射情况。在控制了靶的变形和SrO 的挥发等问题的基础上，制备出了符合化学计量比，且其均匀性和致密度较好，符合 射频磁控溅射实际要求的(Bao 67Sro∞)Ti03铁电陶瓷靶。利用x光衍射(XRD)技术 分析了不同衬底温度、不同退火条件和不同溅射时间(BST薄膜厚度)对BST薄膜的晶 体结构的影响。应用扫描电子显微镜(SEM)翻原子力显微镜(AFM)技术，分析了 优化溅射工艺条件下制备的BST薄膜的表面形貌。纷析表明：BST晶粒呈不规则柱状， 晶粒清晰可辨排列紧密，晶粒直径约为200nm，表湎平整致密、无明显缺陷，表面线 平均粗糙度为11．58rim，具有较好的晶体表面形貌。对BST薄膜介电常数的尺寸效应 和介温特性进行了理论分析和实验测试。BST薄膜的晶粒大小和膜厚对介电常数具有 显著的影响，为了进一步提高BST薄膜的介电常数值，就得进一步优化制备工艺以便 获得结晶更好晶粒更大的BST薄膜；而增加膜厚则比较矛盾，增加沉积速度则有可能 影响BST薄膜的均匀性和结晶度，而增加沉积时间，则现已长达6小时，以此时间为 准都已经成为工业生产化考虑效率的一个生要因素。BST薄膜的介温曲线表明，在零 偏置电压下相对介电常数e，的最大变化率达78／K，介电温度系数a为21％／K。这表明 我们制备的BST铁电薄膜为研制薄膜型非致冷红外焦平面阵列打下了良好的基础。 BST薄膜的红外吸收谱表明：BST薄膜分别在红外波长为3 tt m左右有一个吸光度为 1．64的吸收峰，在红外波长为8 tl m左右有一个吸光度为1．94的吸收峰；即在大气的 红外窗12范围内BST薄膜本身就具有一定的红外吸收能力。r 根据热力学分析论证，确定了所研究硅微桥结构的热导问题为傅里叶导热问题，其 数学模型为基于微分法和热力学第一定律的微分方程。由不同的硅微桥三维实体模型 给出了其二维等效模型；并推导了二维模型导热微分方程及确定了各种参数。最后由 华中科技大学博士学位论文数值模拟结果和分析表明：选用Si0：作桥面，采用四支撑脚结构对绝热性能有较大的 华中科技大学博士学位论文 数值模拟结果和分析表明：选用Si0：作桥面，采用四支撑脚结构对绝热性能有较大的 提高；但进一步采用两支撑脚结构却没有明显的提高。 给出了8×8元非致冷红外探测阵列的设计框图，并确定了主要工艺的流程顺序。 重点研究了硅微桥的各向异性腐蚀技术，探讨了硅在KOH中各向异性腐蚀的微观模 型；并计算出硅在KOH腐蚀液中，+腐蚀液浓度为30％，温度为70(2时，各晶面的理 论腐蚀速率；给出了制备出的形状规则，且具有一定的机械强度的硅微桥样品图。略 为讨论了上下电极和BST薄膜的刻蚀工艺。最后同信息产业部第四十四研究所协作做 出了8×8元非致冷红外探测阵列的原型样品。f 』 ’＼t／ 人 关键词：、功吨式非致冷红外焦平面阵列，电压响应度，射频磁控溅射法，BST薄膜， 硅微桥结构，各向异性腐蚀 II 华中科技大学博士学位论文Abstract 华中科技大学博士学位论文 Abstract For the project of dielectric mode of uncooled infrared focal plane array,the main things， which are studied in the foundational theory and manufacture process of the dielectric bolometer mode of ferroelectric infrared sensor,are described below． According to the first law of the thermodynamics and the basic circuit of the sensor,the expression of the voltage responsivity(Rv)of signal measure for dielectric