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介电可调BMN薄膜及变容管制备研究-材料科学与工程专业论文
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独 创 性 声 明
本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作 及取得的研究成果。据我所知,除了文中特别加以标注和致谢的地方 外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含为 获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与 我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的 说明并表示谢意。
签名: 日期: 年 月 日
关于论文使用授权的说明
本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论文 的规定,有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘, 允许论文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可以将学位论文的全 部或部分内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或扫描 等复制手段保存、汇编学位论文。
(保密的学位论文在解密后应遵守此规定)
签名: 导师签名:
日期: 年 月 日
摘要
摘 要
微波通信技术的迅猛发展要求微波介质材料具有更优异的介电性能。铋基立 方焦绿石结构薄膜材料铌酸铋镁 Bi1.5Mg1.0Nb1.5O7(BMN)具有介电调谐特性,其介 电常数随外加偏置电场的变化,利用这一性质可制成薄膜介质变容管,应用于各 种微波压控电路中。BMN 薄膜为非铁电材料,具有良好的温度稳定性,其介电损 耗较低,并具有适中的介电常数值及较高介电调谐潜力,在微波领域有广泛的发 展前景。
本文通过磁控溅射法在 Pt/Ti/Al2O3 基片上制备 BMN 薄膜,研究了基片温度、 溅射功率、溅射气氛以及气氛总压对 BMN 薄膜的结构、结晶情况、表面形貌以及 介电性能的影响,优化了 BMN 薄膜的制备工艺。并通过微细加工技术研制了 BMN 薄膜介质变容管,研究了 BMN 薄膜的集成化工艺。研究的主要结果如下:
在 500℃~700℃温度范围内 BMN 薄膜的结晶情况及介电性能随基片温度的 升高而提高;低溅射功率下制备的 BMN 薄膜耐压特性较差,高溅射功率下薄膜的 介电性能及耐压特性较好;溅射气氛氧氩比对 BMN 薄膜的相结构及结晶情况没有 明显影响;高气氛总压有利于提高 BMN 薄膜的介电性能。通过分析优化 BMN 薄 膜的溅射制备工艺,制备了较高介电调谐率、低介电损耗的 BMN 薄膜。优化的 BMN 薄膜制备工艺条件参数为:基片温度 675℃、250W 溅射功率、溅射气氛 O2:Ar 比为 15:85、气氛总压为 5Pa。制备出了介电常数值为 119、介电损耗为 0.008、介 电调谐率为 30%的 BMN 薄膜。
利用得到的优化的 BMN 薄膜制备工艺条件参数,通过微细加工技术研制出了 BMN 薄膜介质变容管,并研究了 BMN 薄膜的图形化工艺。实验得到 HF:H2O 比 例为 1:1 的氢氟酸刻蚀溶液对 BMN 薄膜有较好的刻蚀效果,通过 40s~50s 的刻蚀 可以较好地实现 BMN 薄膜的图形化。研制的 3 种有效面积的 BMN 薄膜介质变容 管电容值在 0.4~1pF 之间,介电损耗在 0.15~0.3 之间,其耐压特性较好,介电调 谐率在 13%~15%之间。
关键词:铌酸铋镁(BMN)薄膜,射频磁控溅射,调谐性能,介电损耗,变容管
I
Abstract
Abstract
The rapid development of microwave communication technologies requires the microwave dielectric materials with better dielectric properties. Bi-base pyrochlores material bismuth magnesium niobium Bi1.5Mg1.0Nb1.5O7(BMN) has a tunability property. It can be applied in the varactor integrating with microwave circuit due to its filed-dependent dielectric constant. BMN thin films have good temperature stability as non-ferroelectric. BMN thin films show low loss, moderate dielectric constant and good tunability potential as a potential material in microwave region.
In this work we prepared BMN thin films on Pt/Ti/Al2O3 substrate by rf ma
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