介电可调BMN薄膜及变容管制备研究-材料科学与工程专业论文.docxVIP

介电可调BMN薄膜及变容管制备研究-材料科学与工程专业论文.docx

  1. 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
  2. 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  3. 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  4. 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  5. 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  6. 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  7. 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
介电可调BMN薄膜及变容管制备研究-材料科学与工程专业论文

万方数据 万方数据 独 创 性 声 明 本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作 及取得的研究成果。据我所知,除了文中特别加以标注和致谢的地方 外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含为 获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与 我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的 说明并表示谢意。 签名: 日期: 年 月 日 关于论文使用授权的说明 本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论文 的规定,有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘, 允许论文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可以将学位论文的全 部或部分内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或扫描 等复制手段保存、汇编学位论文。 (保密的学位论文在解密后应遵守此规定) 签名: 导师签名: 日期: 年 月 日 摘要 摘 要 微波通信技术的迅猛发展要求微波介质材料具有更优异的介电性能。铋基立 方焦绿石结构薄膜材料铌酸铋镁 Bi1.5Mg1.0Nb1.5O7(BMN)具有介电调谐特性,其介 电常数随外加偏置电场的变化,利用这一性质可制成薄膜介质变容管,应用于各 种微波压控电路中。BMN 薄膜为非铁电材料,具有良好的温度稳定性,其介电损 耗较低,并具有适中的介电常数值及较高介电调谐潜力,在微波领域有广泛的发 展前景。 本文通过磁控溅射法在 Pt/Ti/Al2O3 基片上制备 BMN 薄膜,研究了基片温度、 溅射功率、溅射气氛以及气氛总压对 BMN 薄膜的结构、结晶情况、表面形貌以及 介电性能的影响,优化了 BMN 薄膜的制备工艺。并通过微细加工技术研制了 BMN 薄膜介质变容管,研究了 BMN 薄膜的集成化工艺。研究的主要结果如下: 在 500℃~700℃温度范围内 BMN 薄膜的结晶情况及介电性能随基片温度的 升高而提高;低溅射功率下制备的 BMN 薄膜耐压特性较差,高溅射功率下薄膜的 介电性能及耐压特性较好;溅射气氛氧氩比对 BMN 薄膜的相结构及结晶情况没有 明显影响;高气氛总压有利于提高 BMN 薄膜的介电性能。通过分析优化 BMN 薄 膜的溅射制备工艺,制备了较高介电调谐率、低介电损耗的 BMN 薄膜。优化的 BMN 薄膜制备工艺条件参数为:基片温度 675℃、250W 溅射功率、溅射气氛 O2:Ar 比为 15:85、气氛总压为 5Pa。制备出了介电常数值为 119、介电损耗为 0.008、介 电调谐率为 30%的 BMN 薄膜。 利用得到的优化的 BMN 薄膜制备工艺条件参数,通过微细加工技术研制出了 BMN 薄膜介质变容管,并研究了 BMN 薄膜的图形化工艺。实验得到 HF:H2O 比 例为 1:1 的氢氟酸刻蚀溶液对 BMN 薄膜有较好的刻蚀效果,通过 40s~50s 的刻蚀 可以较好地实现 BMN 薄膜的图形化。研制的 3 种有效面积的 BMN 薄膜介质变容 管电容值在 0.4~1pF 之间,介电损耗在 0.15~0.3 之间,其耐压特性较好,介电调 谐率在 13%~15%之间。 关键词:铌酸铋镁(BMN)薄膜,射频磁控溅射,调谐性能,介电损耗,变容管 I Abstract Abstract The rapid development of microwave communication technologies requires the microwave dielectric materials with better dielectric properties. Bi-base pyrochlores material bismuth magnesium niobium Bi1.5Mg1.0Nb1.5O7(BMN) has a tunability property. It can be applied in the varactor integrating with microwave circuit due to its filed-dependent dielectric constant. BMN thin films have good temperature stability as non-ferroelectric. BMN thin films show low loss, moderate dielectric constant and good tunability potential as a potential material in microwave region. In this work we prepared BMN thin films on Pt/Ti/Al2O3 substrate by rf ma

您可能关注的文档

文档评论(0)

peili2018 + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档