介电氧化物GaN基半导体异质结构的电学性能研究-材料科学与工程专业论文.docxVIP

万方数据 万方数据 分类号 密级 UDC[注] 学 位 论 文 介电氧化物/GaN 基半导体异质结构的电学性能研究 （题名和副题名） 王水力 （作者姓名） 指导教师姓名 张鹰 教授 电子科技大学 成都 （职务、职称、学位、单位名称及地址） 申请学位级别 硕士 专业名称 材料科学与工程 论文提交日期 2011.04 论文答辩日期 2011.05 学位授予单位和日期 电子科技大学 答辩委员会主席 评阅人 2011 年 月 日 注 1 注明《国际十进分类法 UDC》的类号 分类号 密级 万方数据 万方数据 独 创 性 声 明 本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作 及取得的研究成果。据我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方 外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为 获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与 我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的 说明并表示谢意。 签名： 日期： 年 月 日 关于论文使用授权的说明 本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论文 的规定，有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘， 允许论文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可以将学位论文的全 部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描 等复制手段保存、汇编学位论文。 （保密的学位论文在解密后应遵守此规定） 签名： 导师签名： 日期： 年 月 日 分类号 密级 摘要 摘要 万方数据 万方数据 万方数据 万方数据 摘 要 第三代宽禁带半导体 GaN 材料具有大的禁带宽度、良好的导热性、高的载流 子迁移速率和大的击穿场强。介电氧化物具有丰富的电学特性，如高的绝缘性和 铁电极化特性等。将介电氧化物与 GaN 材料进行集成，可以得到功能丰富、性能 更强和集成度更高的电子器件。但是将介电氧化物与 GaN 基半导体进行集成一直 存在器件电学性能不高和物理机理尚不明确等问题。对此，本文通过建立介电氧 化物薄膜/GaN 异质结构的物理模型，利用数值模拟的方法研究了该类异质结构中 的铁电极化调制机理和界面特性对器件电学性能的影响，并在此基础上结合试验 结果对相关介电氧化物薄膜特性和集成器件的性能进行了分析。主要工作和结论 如下： 1. 建立了介电氧化物/GaN 基半导体异质结构的电学性能模拟模型。利用电荷 控制模型，自洽求解 Schr?dinger-Poisson 方程获得异质结构的电势分布和载流子分 布；通过在电位移方程中考虑界面层厚度、界面层介电常数和界面态密度，实现 界面特性对整个器件性能影响的讨论。在铁电/GaN 基半导体异质结构的模拟中， 采用 Lue 铁电极化模型，实现非饱和铁电极化特征的模拟。 2. 对介电氧化物/n-GaN 异质结构的电学性能进行了模拟，其中主要研究了铁 电极化和界面特性对异质结构性能的影响。结果表明，铁电极化可以加速半导体 内载流子的耗尽与积累之间的转换，从而增强器件的栅极控制；同时铁电极化可 以对 GaN 体内载流子进行调制。对界面特性的研究发现，界面层厚度越大，介电 常 数 越 小 ， 界 面 态 密 度 越 大 将 会 导 致 铁 电 极 化 的 调 制 能 力 降 低 。 通 过 对 LiNbO3/n-GaN 的电学性能模拟，发现 LiNbO3 铁电极化达 2.6μC/cm2，其极化和退 极化时 GaN 表面的电子浓度相差达八个数量级，这表明 LiNbO3/n-GaN 集成在制 备非易失性半导体存储器件领域具有较大的应用前景。 3. 通过对 AlGaN/GaN 异质结构的 C-V 曲线模拟，得到了所用 AlGaN/GaN 半 导体衬底的精确参数，为介电氧化物/AlGaN/GaN 异质结构的电学性能模拟奠定基 础。所得参数如下 ： AlGaN 层厚度 dAlGaN=23nm ， AlGaN 层掺杂浓度 NAlGaN1×1016/cm3，GaN 层掺杂浓度 NGaN=1×1015/cm3，AlGaN/GaN 界面极化电荷 密度 NP=9.7×1012/cm2，表面势垒高度 SBH=1.3eV。 4. 分析了 Al2O3/AlGaN/GaN MISH 异质结构的电学性能。通过电学性能模拟 I 摘要 发现，沉积氧压越高，Al2O3/AlGaN 界面处的负电荷密度越大，AlGaN/GaN 体内 的二维自由电子气（2DEG）浓度越小。 5. 对铁电/AlGaN/GaN MFSH 异质结构的电学性能进行了模拟，其中主要研 究了铁电极化和界面特性对异质结构性能的影响。结果表明，利用薄膜中所存在 的铁电极化及其可翻转性，可实现对二维自由电子气的有效调制。