电荷耦合器件的酌辐照剂量率效应研究.PDF

第37卷摇 第6期 发摇 光摇 学摇 报 Vol郾37 No郾6 2016年6月 CHINESEJOURNAL OF LUMINESCENCE June,2016 文章编号:1000鄄7032(2016)06鄄0711鄄09 电荷耦合器件的酌辐照剂量率效应研究 1,2 1 3 1 1* 1 武大猷 ,文摇 林 ,汪朝敏 ,何承发 ,郭摇 旗 ,李豫东 , 1,2 1,2 1,2 曾俊哲 ,汪摇 波 ,刘摇 元 ( 1. 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,新疆电子信息材料与器件重点实验室, 中国科学院新疆理化技术研究所,新疆 乌鲁木齐摇 830011; 2. 中国科学院大学,北京摇 100049;摇 3. 重庆光电技术研究所,重庆摇 400060) 摘要:对电荷耦合器件进行了不同剂量率的酌辐照实验,通过多种参数的测试探讨了剂量率与电荷耦合器 件性能退化的关系,并对损伤的物理机理进行分析。 辐照和退火结果表明:暗信号和暗信号非均匀性是酌辐 照的敏感参数,电荷转移效率和饱和输出电压随剂量累积有缓慢下降的趋势;暗场像素灰度值整体抬升,像 元之间的差异显著增加;电荷耦合器件的暗信号增量与剂量率呈负相关性,器件存在潜在的低剂量率损伤增 强效应。 分析认为,剂量率效应是由界面态和氧化物陷阱电荷竞争导致的。 通过电子鄄空穴对复合模型、质子 输运模型和界面态形成对机理进行了解释。 关摇 键摇 词:电荷耦合器件;暗信号;低剂量率损伤增强效应;暗场像素统计 中图分类号:TP212.14;TN386.5摇 摇 摇 文献标识码:A摇 摇 摇 DOI:10.3788/ fgx0711 Dose Rate Effects of 酌Irradiation on CCDs 1,2 1 3 1 1* 1 WU Da鄄you ,WEN Lin ,WANG Chao鄄min ,HE Cheng鄄fa ,GUO Qi ,LI Yu鄄dong , 1,2 1,2 1,2 ZENGJun鄄zhe ,WANG Bo ,LIU Yuan (1. Key Laboratory of FunctionalMaterials and Devices Under Special Environments of ChineseAcademy of Sciences,Xinjiang Key Laboratory of Electric InformationMaterials and Devices, Xinjiang Technical Institute of Physics and Chemistry,ChineseAcademy of Sciences,Urumqi830011,China; 2. University of ChineseAcademy of Sciences,Beijing 100049,China;