试验18霍耳效应法测量磁场.PDF

  1. 1、本文档共6页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
实验 18 霍耳效应法测量磁场 1879 年,24 岁的美国物理学家霍耳(E.H.Hall )在研究载流导体在磁场中所受力的性 质时,发现了一种电磁效应,即如果在电流的垂直方向加上磁场,则在与电流和磁场都垂 直的方向上将建立一个电场。这一效应称为霍耳效应。由于这种效应对一般材料而言很不 明显,因而长期未得到实际应用。20 世纪 50 年代以来,随着半导体工艺和材料的发展, 先后制成了有显著霍耳效应的材料,如 N 型锗、锑化铟、磷砷化铟等,对这一效应实际应 用的研究随之增加,其中比较突出的是用它来测量磁场。用霍耳元件作探头制成的磁场测 量仪器,其测量范围宽、精度高,且频率响应宽。既可测大范围的均匀场,也可测不均匀 场或某点的磁场。 霍耳元件是一种利用霍耳效应通过把磁信号形式转变为电信号形式以实现信号检测的 半导体器件。具有响应快、工作频率高、功耗低等特点。集成开关型霍耳传感器是将霍耳 器件、硅集成电路、放大器、开关三极管集成在一起的一种单片集成传感器,可作为开关 电路满足自动控制和检测的要求,如应用于转速测量、液位控制、液体流量检测、产品计 数、车辆行程检测等,它在物理实验的周期测量中也有许多应用。 通过研究霍耳效应还可测得霍耳系数,由此能判断材料的导电类型、载流子浓度及载 流子迁移率等重要参数,因此霍耳效应也是研究半导体材料的一个重要实验。 【预习提要】 (1)什么是霍耳效应?什么是霍耳系数?什么是霍耳元件的灵敏度? (2 )为什么霍耳效应可以测磁场?通过哪些物理量的测量来对磁场进行测量? (3 )霍耳效应测量磁场装置怎样使用?应当注意些什么? (4 )本实验可采取什么方法消除副效应的影响? 【实验要求】 (1)了解霍耳效应的机理和霍耳元件的性能。 (2 )学习用霍耳元件测量磁场的实验方法。 (3 )学习一种消除系统误差的方法 (异号法 )。 【实验目的】 测量长直螺线管轴线上的磁感应强度。 【实验器材】 霍耳效应测磁场装置,稳压 电源,数字毫伏表 (或箱式电势差计),直流毫安表等。 【实验原理】 ·161 · (一)霍耳效应现象 将一块半导体(或金属 )薄片放在磁感应强度为 B 的磁场中,并让薄片平面与磁场方 向(如 Y 方向)垂直。如在薄片的横 向(X 方向)加一电流强度为 I H 的电流,那么在与磁 场方向和电流方向垂直的 Z 方向将产生一电动势 UH 。 如 图 3-18-1 所示,这种现象称为霍耳效应, UH 称为霍耳电压 。霍耳发现,霍耳电压 UH 与电流强度 I H 和磁感应强度 B 成正 比,与磁场方向薄片的厚度 d 反比,即 I B U = R H (3-18-1 ) H d 式中,比例系数 R 称为霍耳系数,对 同一材料 R 为一常数。因成品霍耳元件(根据霍耳效 应制成的器件)的 d 也是一常数,故 R / d 常用另一常数 K 来表示,有 U = KI B (3-18-2 ) H H 式中,K 称为霍耳元件的灵敏度,它是一个重要参数,表示该元件在单位磁感应强度和单 位电流作用下霍耳电压的大小。如果霍耳元件的灵敏度 K 知道 (一般由实验室给出),再 测出电流 I H 和霍耳电

文档评论(0)

136****3783 + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档