退火温度对Ni薄膜微观结构和磁性能的影响.PDFVIP

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2019-04-08 发布于天津
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退火温度对Ni薄膜微观结构和磁性能的影响.PDF

: 徐杰等退火温度对薄膜微观结构和磁性能的影响　 Ni Mn In ５１．３３３３．２３１５．４３０６２２５文章编号: ( ) １００１Ｇ９７３１２０１６０６Ｇ０６２２５Ｇ０３退火温度对Ni Mn In 薄膜微观结构和磁性能的影响∗ ５１．３３３３．２３１５．４３ , , , , 徐杰高丽马骏驰宋秋红王皓辉　　 ( , ) 上海海洋大学工程学院上海２０１３０６ : ( ) . 摘要采用射频磁控溅射方法在衬底沉积磁性形状记忆合金薄膜系统研究了退火温度　　 Si１００ NiＧMnＧIn . , , 对Ni Mn In 薄膜显微组织结构和磁性能的影响研究表明退火温度为８７３K时薄膜已完全结晶随退５１．３３３３．２３１５．４３ , . , 火温度增加薄膜表层颗粒细化退火后薄膜的射线衍射图表明薄膜均由立方奥氏体 X Ni Mn In L２５１．３３３３．２３１５．４３１ . 、母相和１４M调制马氏体相组成 Ni Mn In 薄膜母相晶格常数马氏体相的晶胞体积和薄膜平均晶粒尺５１．３３３３．２３１５．４３ . , , 寸均随退火温度增加而增大 Ni Mn In 磁性记忆合金薄膜室温初始磁化曲线表明在１．８T磁场下薄５１．３３３３．２３１５．４３ . , , . 膜均未达到磁饱和随退火温度增加薄膜的初始磁化强度先增加后减小在退火温度为９７３K时达到最大室 , , . 温磁滞回线结果表明 Ni Mn In 薄膜的矫顽力较小呈现出典型的软磁性５１．３３３３．２３１５．４３ : ; ; ; ; 关键词铁磁形状记忆合金薄膜磁控溅射显微结构磁性能　 NiＧMnＧIn 中图分类号: 文献标识码: : / 　TG１１１．９２ A DOI１０．３９６９