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SJT 11499-2015 碳化硅单晶电学性能的测试方法.pdf

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    本标准规定了碳化硅晶体材料导电类型、电阻率、迁移率、载流子浓度的测试方法。本标准适用于在(-263.15~426.85)℃温度范围内,电阻率在1×10Ω·cm以下、晶型为6H和4H的碳化硅单晶的电学性能测试。

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