No.01-硬件电路系统设计基础-21307.ppt

电路设计基础 卢起斌 201307 内容提要 电路选型与系统设计 基础器件选型 基础电路选型 原理图设计概要 数据转换电路设计基础 电路设计流程 系统分析 电路选型 硬件设计与检查 制板、备料与焊接 软硬件调试与测试 设计修改与定型 设计案例 基于FPGA的简易信号源 功能需求 产生50k-30MHz载波信号 实现AM调制，调制度可调，带宽10kHz 输出功率不小于6dBm 软件无线电基本构架 系统分析 系统构架 系统分析 电路模块 系统分析 信号处理流程 系统分析 设计思想 自上向下设计 模块化设计 理清脉络，把握细节 重视文档 基础器件选型-电阻 常见电阻类型 SMD电阻性能稳定，价格低廉，承受功率小 碳膜电阻成本低廉，性能较差 金属膜电阻温度系数小，噪声低，成本稍高 线绕电阻承受功率大，固有电感大 精密电阻用于对精度和漂移指标较高的设计，成本很高 电阻网络内一致性好，可简化装配工序，其耐压和功率较低 电阻的主要指标 额定功率 封装及尺寸 标称阻值 阻值精度 温度系数 非线性 噪声，包括热噪声和电流噪声 极限电压 0欧姆电阻的使用 跳线/跨接 模块电源接入测试点 方便布线，减少过孔 为调试预留位置 分割地的单点连接 配置电路，避免用户随意修改设置 贴片电阻的标注 基本单位为Ω 末位数为倍率，前两位或三位为有效数字 如：100=10×100=10Ω；1002=100×102=10K 尾数为小数的阻值使用R作分隔 如：3R6=3.6Ω，49R9=49.9Ω 注：对于电容，R作为基本单位pF，1R5=1.5pF；对于电感，R作为基本单位uH，2R2=2.2uH 基础器件选型-电容 电容的技术指标 标称容量 封装尺寸 偏差 额定电压 损耗角正切 稳定性（与温度/湿度/气压/震动等因素有关） 电容的作用 电荷缓冲池 高频噪声的重要泻放通路 实现交流耦合 常用电容的类型 陶瓷电容 单层陶瓷（瓷片电容） 多层陶瓷（也称独石电容） 铝电解电容（CD） 钽电解电容（CA） 有机薄膜电容 聚丙烯电容（CBB） 聚苯乙烯电容（CB） 涤纶电容（CL） 常用SMD电容的分类和特点 COG电容：品质高，稳定性好，容量低，主要用在高稳定和高频电路中 X5R电容：性能稍差，温漂和损耗较大，容量中等，主要用在耦合和去耦电路中 Y5V电容：性能最差，容量最大，温漂大非常，容差可达-20%至+80%，一般仅用于去耦电路中 基础器件选型 常用无源器件的选型 铝电解电容 容量大，漏电较大，固有电感大，成本低 非固体电容的性能和寿命受温度影响明显 一般用于低频电路的去耦和耦合 体积和重量较大，震动场合需考虑加固措施 工作电压在额定电压的50%至70%之间为宜 高压滤波电容应设置泄放电阻 基础器件选型 常用无源器件的选型 钽电解电容 容量较大，漏电较小，温漂较小，可靠性更好 ESR和ESL较小，适合配合LDO器件使用 成本高，产品价格波动大 一般用于中低频电路的去耦和耦合 工作电压应在额定电压的50%以下 耐电流冲击的性能较差 SMD钽电容封装一般分A/B/C/D/E五种 有源电路的去耦电容 使用多个电容并联，获得良好的去耦效果 容量大的电容可稍远离有源器件 容量小的电容应尽量靠近有源器件 去耦电容应尽量放置在电流路径上，即电源和地要先过电容，再进芯片 尽量缩短去耦电容和电源管脚之间的距离 尽量减小电源和地之间的回流包围面积 存在地平面时，过孔应紧靠电容的焊盘 去耦电容的作用 去耦电容的组合使用 有源电路的去耦电容 贴片式陶瓷电容的ESR一般都比较小，在高频滤波中这是一个优势。 在电源电路设计中，单独使用陶瓷电容滤波是不适宜的，必须同时搭配使用钽电容、铝电解电容或者OSCON等类型的电容 在设计中，往往将若干小容值的钽电容并联以提供和大容值钽电容相同的容量 提高设计的可靠性； 降低成本。 选择去耦电容的基本原则 电容等效电路 等效串联电感ESL：由引脚电感和电容器两极间等效电感串联而成 等效串联电阻ESR：由引脚电阻和器件两极间等效电阻构成 基础器件选型-电位器 电位器类型 碳膜电位器价格低廉但性能较差，容差约±20% 陶瓷金属膜电位器应用于中高档设计，性能优良，可用于高频场合，典型容差±10% 线绕电位器低噪声、温漂小、功率大，成本高，固有电感大 多圈电位器的调整性能最佳，成本高，体积大 电位器的指标 标称阻值 额定功率 滑动噪声 分辨力 阻值变化规律（线性、对数、指数等） 起动力矩和转动力矩 轴长和轴端结构 电位器的使用 谨记：弧刷触点是电位器最大的弱点，电位器引起的电路故障大部分起因于弧刷触点 避免较大的直流通过弧刷，尽可能隔直处理 用作变阻器时，弧刷应与另一固定端连接 建议与固定电阻串联达到最佳调节性能 常见电位器图片 基础电路选型-电源 功耗较低且对效