中压气体绝缘金属封闭开关设备的设计内容资料.pptVIP

2.2.2典型产品的主要技术参数 　　　主要几家公司典型产品的主要技术参数为：额定电流1250～2500A；40.5kV级1min工频耐受电压85kV或个别95kV，雷电冲击耐受电压185kV；额定短时耐受电流31.5kA，额定峰值耐受电流80kA，额定短路开断电流31.5kA，SF6气体额定压力（20℃时、表压）：0.05MPa及以下；外形尺寸：当额定电流1250A 及以下时柜宽600或以下，额定电流1250A以上时柜宽800，柜高2300左右，柜深1700左右。 2.2.3绝缘结构 　　使用的绝缘类型有气体绝缘、沿面绝缘、固体绝缘、界面绝缘。 　　气体绝缘：在主回路导体与密封箱体之间用SF6气体绝缘。 　　沿面绝缘：用固体绝缘件作介质，构成主回路导体、断路器、隔离开关的电极等的带电部分与密封箱体之间的对地绝缘或导体间的相间绝缘。SF6气体中的沿面绝缘特性取决于最大电场，一产生电晕就很容易引起沿面的闪络，所以即使在绝缘件的沿面上也必须有为实现电场衰减的结构。SF6气体、电极以及绝缘件接触的部分会出现电场上升现象，对电场产生影响，成为绝缘上的薄弱点。 　　　固体绝缘：采用环氧树脂材料作绝缘介质，中间是高压导体，浇注成形，表面通过液态金属喷镀法进行锌喷镀或通过涂敷半导电层等方法设置一接地的金属层或半导电层。中间高压导体与接地的金属层或半导电层间靠固体绝缘材料耐受电压。表面层粘合力大小与喷镀的种类、粒度、金属喷镀枪、膜厚等有关。表面层万一发生碰撞、剥落，其端部就会造成局部放电的发生。 　　　界面绝缘：将硅橡胶等弹性材料压接在环氧树脂的面上，用该界面维持绝缘。与表面压力、界面光洁度、V-t特性有关。 2.2.4新型密封壳体结构及密封壳体的焊接、检漏工艺技术 　　　新的板金工艺应用，即激光切割+折弯+焊接/铆焊。由于激光切割的高灵活性、高精度，三维设计技术的成熟与普及，可以应用更加合理、美观、成本低、质量高、工期短的设计新结构与新的工艺流程。 　　　新的焊接工艺应用，即激光焊接。由于激光焊接的高精度、非常小的热影响区、高的穿透性，应用新焊接结构、加强筋结构与新的工艺流程，使焊接后的部件无变形或小变形、刚度大大提高，焊缝质量大大提高，外形美观。 　　　螺柱焊接工艺的应用，即螺柱焊技术。由于螺柱焊结构简单、热影响区小、高的焊接强度以及灵活性好，应用于板上或筋上，容易实现无缝连接，螺纹尺寸M3～M20都可选用，焊后的部件无变形，焊缝质量可靠，外形美观。 　　　同步抽真空工艺和氦检漏技术的应用。中压C－GIS在生产、正常运行的中，承受的正压力多在0.08MPa以下，而生产中抽真空的过程中承受的负压力，约为0.1MPa。为了减少密封箱体在制造过程中受到较大压力差的不利影响，采用了抽真空工艺，即；密封箱体放入比其略大的密封容器内，密封箱体、密封容器同时抽真空，维持二者间的压力差小于0.03MPa，最终二者都抽至真空。 　　　氦检漏技术就是利用抽真空工艺在二者同步都抽至真空的条件下，向密封箱体注入氦气，在密封容器内收集氦气的数量，快速、高精度测量密封箱体的年泄漏率。在确定密封箱体的年泄漏率合格的情况下，回收氦气。然后，同时向密封箱体充入绝缘气体（SF6或N2）、向密封容器充入空气，并维持二者间的压力差小于0.03MPa，密封容器充大气压后，密封箱体充至额定压力。采用这种工艺首先对环境没有污染；其次检测精度高，可检测年泄漏率0.01％；再者检测效率高；最后密封箱体不会因为生产过程收受大于额定充气压力的压力，不至使密封箱体过于变形。 2.2.5真空断路器和真空灭弧技术 　　　中压C－GIS中配置的断路器要求开断能力强、电寿命长、可靠性高，灭弧室部分免维护。真空灭弧室的绝缘性能好，触头开距小，电弧电压低，电弧能量小，开断时表面烧损轻微。因此，真空断路器的机械寿命和电寿命都很高。通常机械寿命和开合负载电流的寿命都在万次以上。允许开合额定短路开断电流的次数多在20次以上，特别适合于要求频繁操作的场所。这是其它断路器无法比拟的，因此中压C—GIS中90％配置的是真空断路器。 2.2.6三位置隔离开关 　　　三位置隔离开关的结构分为直动导电杆型与转动闸刀型两大类。布置方式有沿柜宽布置三相的正装和沿柜深方向布置三相的侧装，均为三相机械联动。联动杆有两种类型：转动式三相联动，可以是一根转轴同时带动三相刀闸转动，也可以是三根转轴通过变换成为同时分别带动三相导电杆的直动；平动式三相联动，可以是一根拉杆同时带动三相刀闸转动，也可以是由三根拉杆同时分别带动三相刀闸转动。 2.2.7传感技术、新型数字技术与软件技术 　　　采用了现代传感技术，配置了多种传感器，如电流/电压传感器、位置传感器、密度传感器等，将新型科技成果应用于中压C－GIS，实现了传感元件数字化。