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场效应半导体三极管是仅由一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的的半导体器件。从参与导电的载流子来划分，它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件。 1.4.1 结型场效应三极管 结构 它是在N型半导体硅片的两侧扩散高浓度P离子区，形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。 P区即为栅极，N型硅的一端是漏极，另一端是源极。 一、结型场效应三极管的工作原理 根据结型场效应三极管的结构，只能工作在反偏的条件下， N沟道结型场效应三极管只能工作在负栅压（uGS0）区， P沟道的只能工作在正栅压区，否则将会出现栅流。 同时uDS0，实现栅源电压对漏极电流的控制。现以N沟道为例说明其工作原理。 1、栅源电压对沟道的控制作用 uDS=0，uGS对导电沟道的控制： uGS=0，导电沟道宽； uGS0，PN结反偏，形成耗尽层，沟道将变窄，ID减小，uGS继续减小，沟道继续变窄，ID继续减小直至为0。 漏极电流为0时，沟道消失，所对应的栅源电压uGS称为夹断电压UGS(off)。 2、漏源电压对沟道的控制作用 当uDS增加，uGD反偏电压增加，沟道电阻取决于（栅源电压一定）uGS，iD随uDS线性增大，漏源间呈电阻特性。 （负值）uGD=（负值）U GS(off)时，靠漏极处出现预夹断，如图 (b)所示。当uDS继续增加，漏极处的夹断继续向源极方向生长延长。 （负值）uGD （负值）U GS(off)时，沟道夹断使iD减小；漏源间电场使iD增大。 则uDS变化iD几乎不变，只与uGS有关。恒流特性。 JFET的特性曲线有两条，一是转移特性曲线， 二是输出特性曲线。它与MOSFET的特性曲线基本 相同， MOSFET的栅压可正、可负， 结型场效应三极管的栅压只能是P沟道的为正或N沟道的为负。 * 1.4.1 结型场效应管 1.4.3 场效应管的主要参数 1.4.4 场效应管与晶体管的比较 1.4.2 绝缘栅型场效应管 / 电子技术论坛 电子发烧友 从场效应三极管的结构来划分，它有两大类。 1.结型场效应三极管JFET (Junction type Field Effect Transister) 2.绝缘栅型场效应三极管IGFET ( Insulated Gate Field Effect Transister) IGFET也称金属氧化物半导体三极管MOSFET （Metal Oxide Semiconductor FET） N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 分类： 1.4 结型场效应管 ? 结构 ? 工作原理 ? 输出特性 ? 转移特性 ? 主要参数 一、 JFET的结构和工作原理 二、 JFET的特性曲线及参数 导电沟道： 漏源之间的非耗尽层区域。 源极，用S或s表示 N型导电沟道 漏极，用D或d表示 P型区 P型区 栅极，用G或g表示 栅极，用G或g表示 符号 符号 JFET的结构和工作原理 结构： # 符号中的箭头方向表示什么？ uGS=固定值（ U GS(off)～0）， uDS对iD的影响： uDS=0， iD＝0 漏源电压uDS0，漏、源间将形成多子的漂移运动，产生漏 极电流iD，（负值）uGD=uGS-uDS将随之变化（减小）。 靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从左至右呈楔形 分布，如图所示。 ① VGS对沟道的控制作用 当VGS＜0时 （以N沟道JFET为例） 当沟道夹断时，对应的栅源电压VGS称为夹断电压VP （ 或VGS(off) ）。 对于N沟道的JFET，VP 0。 PN结反偏 耗尽层加厚 沟道变窄。 ? ?