低频电子线路 课件 绝对珍藏11.pptVIP

《低频电子线路》 《低频电子线路》 山东大学 信息科学与工程学院 刘志军 上节课回顾 静态工作点稳态电路 Q点不稳定的因素 基极分压式射极电阻共射放大电路 晶体管放大器的三种组态 本节课内容 场效应晶体管 结型场效应管（JFET） 绝缘栅场效应管（IGFET） § 1.4 场效应晶体管 场效应晶体管(Field Effect Transistor ) 简称FET 1.4.1 场效应管简介 场效应管是一种不同于前述双极型晶体管（BJT）的一种半导体器件。 两者工作机理不同 双极型晶体管（BJT） 有两种载流子（多子、少子） 场效应管（FET） 有一种载流子（多子） 控制方式的不同 双极型晶体管（BJT） 电流控制方式 场效应管（FET） 电压控制方式 场效应管分类 分为两大类： 结型场效应管（JFET） 绝缘栅场效应管（IGFET） MOS场效应管（MOSFET） 在绝缘栅场效应管（IGFET）结构的器件中，最常见为金属—氧化物—半导体结构 （Metal—Oxide—Semiconductor）， 故称为MOSFET，简称MOS器件。 JFET器件 JFET分为两类: N沟道JFET P沟道JFET  MOSFET MOSFET 分为: N沟道MOSFET P沟道MOSFET N沟道MOS N沟道MOS又分为 N沟道 增强型（Enhancement ） --------- ENMOSFET N沟道 耗尽型（Depletion ） ---------- DNMOSFET P沟道MOS P沟道MOS又分为 P沟道 增强型（Enhancement ） ---------E PMOSFET P沟道 耗尽型（Depletion ） ----------D PMOSFET 1.4.2 结型场效应管（JFET） 是一种利用PN结原理但与BJT截然不同的常见的FET。 1.??符号和结构 注意场效应管的结构、原理和符号都不同于BJT。 以下注意看结型场效应管（JFET）的情况。 JFET（图） 2． NJFET工作原理 以下以N沟道为例分析JFET工作原理。 外加偏置 管子工作要求外加电源保证静态设置： VDS 漏极直流电压------加正向电压 VGS 栅极直流电压------加反向电压 ① VGS 栅极直流电压的作用（图） 看VGS的作用（不加VDS ） 横向电场作用 ︱ VGS ︱↑ → PN结耗尽层宽度↑ → 沟道宽度 ↓ ② VDS 漏极直流电压的作用（图） 看VDS的作用（不加VGS ） 纵向电场作用 在沟道造成楔型结构（上宽下窄） ③ VGS和VDS的综合作用 仍为楔型结构（图） 楔型结构 a点（顶端封闭） ——预夹断 b点（底端封闭） ——全夹断（夹断） 说明 随沟道宽窄变化，使通过的载流子数量发生变化，即iD变化。 VGS对iD的控制作用。 3．特性曲线 有两种特性： 转移特性（思考为何不叫输入特性？） 输出特性 ①转移特性 分析转移特性 iD函数表达式 转移特性（图） N沟道JFET转移特性曲线 其中：IDSS 为饱和电流　　　VGS（off) 为夹断电压 ②输出特性 输出特性（图） 1.4.3 MOS场效应管 MOS场效应管是绝缘栅场效应管的一种主要形式，应用十分广泛。 MOSFET（图） 1 . N沟道增强型（E型）MOSFET 以N沟道增强型MOSFET为例介绍MOS管的工作原理。 （1）结构与符号 介绍N沟道增强型（E型）MOSFET的结构与符号 结构与符号（图） 外加偏置 VGS ： 所加栅源电压 垂直电场作用（注意为“＋”） VDS ： 所加漏源电压 横向电场作用（注意也为“＋”） 工作原理分析 两种电场的作用： 垂直电场作用 横向电场作用 VGS垂直电场作用（向下） VGS 垂直电场作用（向下） → 吸引P衬底中自由电子向上运动 → 形成反型层（在P封底出现N型层） → 从而连通两个N+区（形成沟道） 2. VDS横向电场作用 使沟道成楔型（左宽右窄） VGSVGS(th) ----------iD=0 VGSVGS(th) ----------------iD0 其中 VGS(th)为开启电压。 iD表达式 iD表达式其中符号