QTSTAR电解电容器规格书.docVIP

QTSTAR电解电容器 概述 电解电容器是常用的电子元件,主要应用于滤波、去耦及信号耦合等场合。 使用液体电解液的铝电解电容器，由通用电气（GE）公司发表于1908年。使用固态钽电解电容器，由WE和SPRAGUE发表于1953年。使用有有机半导体为电解质的固体OS-CON电容，由三洋SANYO发表于1982年。 值得注意的是，虽然SANYO发展OS-CON的时间很早，也属于成熟的技术，但真正被大量使用（以合理的产量与价格被广泛使用），其实也是这两年的事情。因为PC产业对OS-CON电容优异的高频特性有迫切的需求，从Pentium系列主机板开始，我们就可以开始看到OS-CON的影子，直到Pentium 4，OS-CON已经到了不可或缺的程度。 我公司于2002年开始推出QTSTAR电容（导电性高分子铝固体电解电容器），它采用高性能的材料(导电性高分子)作为电解质,其导电性高,ESR（等效串联电阻）值低,并且有良好的频率特性、温度特性及允许通过更多的纹波电流等特点。现已在PC主板，显卡，开关电源，音响，汽车控制线路等行业中应用。 QTSTAR电容的特点 1 QTSTAR电容是低等效串联电阻电容器 阻抗的频率特性基本上达到最理想值。 适合于用作清除纹波噪声、峰值噪声、数码噪声、静电噪声以及音像设备等噪声的去藕电容器。 允许通过纹波电流多 适用于小型化设备的转换电流平滑电容器。 可快速放电。 适用于高速大电流电路中的保护电容器。 2 QTSTAR电容的等效串联电阻不受温度的影响 适用温度范围广（-50度 ~ +125度）的设备 3 QTSTAR电容的寿命长 在85℃的工作环境中，寿命最高可达40，000小时。 适用于长期使用的产业设备等。 插装型型号标识体系 标称静电容量 系列名 额定电压 标称静电容量允许偏差 电压（V） 号码 2．0 2R0 2．5 2R5 4．0 4R0 6．3 6R3 10 010 16 016 20 020 25 025 125 125 250 250 500 500 标称容量（μF） 号码 1 1R0 2．2 2R2 4．7 4R7 10 100 22 220 100 101 220 221 1000 102 2200 222 允许偏差 号码 ±20% M E系列 E系列 H系列 F系列 K系列 M系列 K系列 105℃高纹波电流，长寿命型 产品特点 K系列适用于重视高频低噪声的开关电源， 并可提高一般线路的寿命及可靠性。 产品规格 项 目 特 性 1、使用温度范围 - 40℃ ~ +105℃ 2、标称容量允许偏差120Hz M（±20%） 3、损耗角正切值120Hz 参考各型号 4、漏电流（μA以下/2min） 参考各型号 5、等效串联电阻 ESR 100 kHz 参考各型号 6、高温及低温特性阻抗比 （50 kHz，+20℃为标准） - 40℃ Z / Z20℃ 3.0 ~ 3.5 +105℃ Z / Z20℃ 0.75 ~ 1.25 7、耐用性 105℃，5，000h，外加额定电压 （25V产品外加20V） ΔC/C 初期值的±20%以内 tanδ 初期规格的1.5倍以下 ESR 初期规格的1.5倍以下 漏电流 初期规格以下 8、高温高湿特性（正常） （60℃，90–95%RH，无外加电压1,000h） ΔC/C 初期值的±20%以内 tanδ 初期规格的1.5倍以下 ESR 初期规格的1.5倍以下 漏电流 电压处理后初期规格以下 9、焊接耐热特性 正流焊（260±5℃×10s） ΔC/C 初期值的±10%以内 tanδ 初期规格以下 ESR 初期规格以下 漏电流 电压处理后初期规格以下 注：如有疑问请咨询量子星技术服务部 形状与尺寸 ΦD56.3 ΦD 5 6.3 8 10 12.5 Φd 0.5 0.6 F 2.0 2.5 3.5 5.0 a L≥16:a=1.5 L≤20:a=2.0 型号列表 额定电压6.3V 标称容量（μF） 尺寸 ΦD?L（mm） 等效串联电阻（100kHz - 300kHz） (mΩ以下) 允许纹波电流 （mArms） 损耗角正切值 (以下) 漏电流 （μA以下） 量子星型号 150 5×11 220 2200 0.12 9 151K6R3 220 6.3×11 180 2450 0.12 13.5 221K6R3 330 6.3×11 125 3320 0.12 20.8 331K6R3 470 8×12 80 3890 0.12 25 471K6R3 820 10×12.5 80 5060 0.13 51 821K6R3 1500 10×20 46 5300 0.15 75 152K6R3 2200 10×23 42