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王保柱，男，1980年生， 2007年6月毕业于中国科学院半导体研究所微电子学与固体电子学专业，获得工学博士学位。2012年-2013年受国家留学基金委资助，在北卡罗来纳大学夏洛特分校电子和计算机系作为访问学者进修，主要从事宽禁带半导体材料外延，特性研究和器件研制工作。现任河北科技大学信息学院电子信息工程系副教授，电路与系统专业硕士生导师。
主要招生专业及研究方向
宽禁带半导体材料外延及特性研究
半导体材料和器件理论研究
半导体光电器件系统级应用
主要科研成果
1、2012年，河北省自然基金课题：高介电常数栅介质薄膜材料可控生长机理的理论研究（2012验字046），通过验收，排名第2。
2、2010年，河北省教育厅课题：基于InGaN量子点材料的新型太阳能电池研究（鉴定号：2010-53），主持，通过就教育厅组织的专家鉴定，达到国内领先水平。
3、2010年，石家庄科技局课题：LED半导体光源二次光学设计及散热研究（石市科验第100943120），主持，通过验收。
4、2008年 国家自然科学基金：GaN基气敏传感器材料和器件研究，通过验收，排名5.
5、2010年，一种制备氮化物量子点的方法，专利号：200810079730.X（发明专利 已授权），第一发明人
6、2009年，一种基于半导体紫外发光二极管的便携式水消毒装置2009，专利号：200820106502.2（实用新型专利 已授权），第一发明人
发表的代表性论文
1、王保柱，颜翠英，王晓亮，分子束外延生长InGaN量子点及其结构和光学特性研究， 稀有金属材料与工程，v40,n 11, p2030-2032, 2011(期刊论文 SCI)
2、王保柱，王晓亮，射频分子束外延生长AlInGaN四元合金, 无机材料学报，2009（3）559-562 (期刊论文SCI)
3、王保柱，安胜彪，文环明，武瑞红，王晓君，王晓亮，MOCVD生长Al0.48Ga0.52N/Al0.54Ga0.36N多量子阱及其结构和光学特性研究，光电子激光，2009（11）1454-1457（期刊论文Ei）
4、Wang, Baozhu; An, Shengbiao; Wen, Huanming; Wu, Ruihong; Wang, Xiaojun; Wang, Xiaoliang, Thermal annealing effect on the Mg doped AlGaN/GaN superlattice, Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, v 7631, 2009(会议论文, Ei)
5 Wang, BZ; Wang, XL; Wang, XY; Guo, LC; Wang, XH; Xiao, HL; Liu, HX; The growth of high-Al-content InAlGaN quaternary alloys by RF-MBE, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 40 (3): 765-768 2007（期刊论文SCI）
6 Wang, BZ; Wang, XL; Hu, GX; Ran, JX;Wang, XH; Guo, LC Xiao, HL; Li, JP; Zeng,YP; Li, JM; Wang, ZG; Growth and annealing study of Mg-doped AlGaN and GaN/AlGaN superlattices, CHINESE PHYSICS LETTERS, 23 (8): 2187-2189 2006（期刊论文SCI）
7 Baozhu, Wang; Xiaoliang, Wang; Huanming, Wen; Ruihong, Wu; Guoxin, Hu; Junxue, Ran; Hongling, Xiao, Structural and optical properties of InGaN/GaN multiple quantum wells structure for ultraviolet emission, Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, v 6782, 2007(会议论文, Ei)
8 王保柱，王晓亮，王晓燕，王新华，郭伦春，肖红领，王军喜，刘宏新，曾一平，李晋闽，蓝宝石衬底上单晶InAlGaN外延膜的RF-MBE生长，半导体学报，2006，27(8),1382-1385(期刊论文Ei)
9 于威，王保柱
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