奈米科技教学改进计画数位化网路自我学习练习题「微电薄膜...课件.ppt

( A ) RF power supply 所採用的頻率為何Hz (A) 13.6, (B) 12.6, (C) 10.6 精品 ( ) 本系統的RF power supply最大的功率極限為何 . (A) 1000, (B) 1400 精品 ( B ) 本系統的RF power supply最大的功率極限為何 . (A) 1000, (B) 1400 精品 ( ) 本系統的離子束產生搭配裝置是否有直流電源供應器 (A) Ture, (B) False 精品 ( A ) 本系統的離子束產生搭配裝置是否有直流電源供應器 (A) Ture, (B) False 精品 ( ) 在XRD的繞射光譜中是根據哪種光譜來獲得繞射訊息(A) 特徵光譜, (B) 連續光譜. 精品 ( A ) 在XRD的繞射光譜中是根據哪種光譜來獲得繞射訊息(A) 特徵光譜, (B) 連續光譜. 精品 ( ) XRD是根據何定律成立的 (A) 歐姆定律, (B) 牛頓第二定律, (C) 布拉格定律 精品 ( C ) XRD是根據何定律成立的 (A) 歐姆定律, (B) 牛頓第二定律, (C) 布拉格定律 精品 ( ) 在X光管內部是否為真空狀態 (A) True, (B) False 精品 ( A ) 在X光管內部是否為真空狀態 (A) True, (B) False 精品 第三單元超高真空磁控濺鍍奈米氣體感測薄膜製備與分析 逢甲大學材料科學與工程學系編製 精品 ( ) 氧化鎢（WO3）薄膜具有何種結構（A）鈣鈦礦結構（ Perovskite）（B）六方晶結構（hexagonul）（C）單斜（monoclinik） 精品 ( A ) 氧化鎢（WO3）薄膜具有何種結構（A）鈣鈦礦結構（ Perovskite）（B）六方晶結構（hexagonul）（C）單斜（monoclinik） 精品 ( ) 反應性濺鍍（Reactive Sputter Deposition）是通入反應性氣體進行反應，可使用那些氣體（A） O2（B ）N2 （C）皆可 精品 ( C ) 反應性濺鍍（Reactive Sputter Deposition）是通入反應性氣體進行反應，可使用那些氣體（A） O2（B ）N2 （C）皆可 精品 ( ) 感測器依據檢測原理與材料類型大致可區分為（Ａ）觸媒燃燒式（Ｂ）場效電晶體（Ｃ）金屬氧化物半導體（MOS）（D）皆具有 精品 ( D ) 感測器依據檢測原理與材料類型大致可區分為（Ａ）觸媒燃燒式（Ｂ）場效電晶體（Ｃ）金屬氧化物半導體（MOS）（D）皆具有 精品 ( ) 觸媒燃燒式的氣體感測其使用之檢測氣體為（Ａ）C2H5OH（Ｂ）CH4（Ｃ）H2（Ｄ）皆可 精品 ( D ) 觸媒燃燒式的氣體感測其使用之檢測氣體為（Ａ）C2H5OH（Ｂ）CH4（Ｃ）H2（Ｄ）皆可 精品 ( ) 場效電晶體型的氣體感測其使用之檢測氣體為（Ａ）H2（Ｂ）NH3（Ｃ）O2（Ｄ）皆可 精品 ( ) 場效電晶體型的氣體感測其使用之檢測氣體為（Ａ）H2（Ｂ）NH3（Ｃ）O2（Ｄ）皆可 精品 ( ) 金屬氧化物半導體（MOS）的氣體感測其使用之檢測氣體為（Ａ）CO（Ｂ）NO2（Ｃ）SO2（Ｄ）皆可 精品 ( ) 下列何者非RCA清洗的目的 (A)去除表面有機物汙染 (B) 去除金屬鍍膜層 (C) 去除生長閘極氧化層前之原生氧化矽 精品 ( C ) 下列何者非RCA清洗的目的 (A)去除表面有機物汙染 (B) 去除金屬鍍膜層 (C) 去除生長閘極氧化層前之原生氧化矽 精品 第二單元感應耦合電漿離子束濺鍍沉積銅金屬化薄膜製備與分析 逢甲大學材料科學與工程學系編製 精品 ( ) 本系統有採用MFC(流量控制器)，請說明本系統所採用的單位為何 ?(A) SCCM, (B) SCKM, (C)SCLM. 精品 ( A ) 本系統有採用MFC(流量控制器)，請說明本系統所採用的單位為何 ?(A) SCCM, (B) SCKM, (C)SCLM. 精品 ( ) 本系統採用哪 種低度真空計(A) 冷陰極真空計, (B) 派藍尼真空計, (C) 液位真空計 精品 (B) 本系統採用哪 種低度真空計(A) 冷陰極真空計, (B) 派藍尼真空計, (C) 液位真空計 精品 ( ) 本系統採用的低度真空計工作範圍約略在幾Pa (A) 1~100, (B)0.1~104, (C) 10-2~10-5 精品 (B) 本系統採用的低度真空計工作範圍約略在幾Pa (A) 1~100,