钴和氮化钴薄膜的反常霍尔效应-凝聚态物理专业论文.docxVIP

中图分号：0469 中图分号：0469 密级： 公开 UDC： 530 学校代码： 10094 讶业￡解■q孽|：=-砷 0●- 乒厶 尢 h字 硕士学位论文 (学历硕士) 钴和氮化钴薄膜的 反常霍尔效应 The anomalous Hall effect in Co and C魄N films 研究生姓名： 孙明军 指导教师： 侯登录教授 学科专业： 凝聚态物理 研究方向： 磁性纳米材料 论文开题日期： 2013年9月10日 万方数据 11 万万数据 学位论文原创性声明本人所提交的学位论文《钴和氮化钴薄膜的反常霍尔效应》，是在导师的指 学位论文原创性声明 本人所提交的学位论文《钴和氮化钴薄膜的反常霍尔效应》，是在导师的指 导下，独立进行研究工作所取得的原创性成果。除文中已经注明引用的内容外， 本论文不包含任何其他个人或集体己经发表或撰写过的研究成果。对本文的研究 做出重要贡献的个人和集体，均己在文中标明。 本声明的法律后果由本人承担。 论文作者(签名)：碍调’事 指导教师确认( Zd孓年S月己f日 加Jj年g月26日 学位论文版权使用授权书 本学位论文作者完全了解河北师范大学有权保留并向国家有关部门或机构 送交学位论文的复印件和磁盘，允许论文被查阅和借阅。本人授权河北师范大学 可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩 印或其它复制手段保存、汇编学位论文。 (保密的学位论文在——年解密后适用本授权书) 论文作者(签名)：吾喜嘲。乒 指导教师(签 列5年岁月2妒 20吟年号 万方数据 摘要反常霍尔效应(Anomalous 摘要 反常霍尔效应(Anomalous Hall Effect，Aim)作为探究和表征铁磁性材料中巡 游电子输运特性的重要手段和工具，对于整个稀磁半导体材料中自旋电子输运性 质的研究起着十分重要作用。近年来，伴随着反常霍尔效应贝里相理论的提出， 使得反常霍尔效应的研究再次成为凝聚态物理学研究的热点。 尽管反常霍尔效应的发现已有百余年之久，但关于其产生的理论机制依旧存 在激烈的争论。争议的焦点是反常霍尔效应的产生机制，是能带效应还是散射效 应。1954年Karplus和Lutcinger首先提出了反常霍尔效应的本征机制，认为AHE 的产生仅由材料的能带结构决定，而与材料中杂质或缺陷的散射无关。随后，Smit (1955年)和Berger(1971年)先后对KL的本征机制产生了质疑，并分别提 出与散射相关的斜散射(Skew scattering)机制和侧跳(sidejump)机制。近年来，随 着人们对量子霍尔效应研究的深入，拓扑学的发展，研究者们将贝里相的概念引 入到反常霍尔效应的研究中来。 结合贝里相理论第一性原理计算，实现了反常霍尔效应的定量化研究，并预 测了能带结构对反常霍尔效应的重要贡献。考虑到材料能带显著依赖于材料的晶 体结构，本文从改变样品相结构作为出发点，分别制备了系列的Co薄膜和Co-N 薄膜，并对其AHE进行了研究和探讨。这种将相结构与AHE相结合的方法为 AHE的研究提供了新思路，对于反常霍尔效应理论机制的研究具有重要意义， 具体工作如下： 1)利用直流磁控溅射，通过改变衬底的温度，在不同温度下制备了系列Co 薄膜样品，XRD测量co的相结构强烈的依赖于基片温度，随着衬底温度的升高， 样品由六方的e．Co逐渐过渡到立方的n．Co。在转变过程中样品的饱和磁化强度 略有增加，而剩余电阻从296 K样品的351．4衅·珊减少到873 K温度下制各 样品的4．3岬·伽。通过反常霍尔效应研究发现，e．Co薄膜的AHE主要来源 于斜散射机制，而旺一Co的AHE由本征机制和斜散射机制共同起作用。 2)通过直流磁控溅射，不断改变反应气体中的氮气压苴Ⅳ，在270。C的玻璃 V 万方数据 衬底上制各系列Co-N薄膜。XRD测试显示氮分压从0％到4％的变化过程中， 衬底上制各系列Co-N薄膜。XRD测试显示氮分压从0％到4％的变化过程中， 样品逐渐由立方Co结构过渡为立方C04N结构，而氮分压从6％到16％的变化过 程中，样品逐渐形成六角C03N结构。随着氮分压的增加(0一10％)，样品的饱和 磁化强度降低，而且纵向剩余电阻从65．1衅一锄增加到471．2衅·锄。AHE 测量结果显示不同氮分压下制备的样品的反常霍尔效应主要来源于斜散射机制， 而且还存在相对较弱的本征机制和侧跳机制。 关键词：反常霍尔效应内禀机制斜散射侧跳Co薄膜Co-N薄膜 万方数据 AbstractAnomalous Abstract Anomalous Hall effect(AHE)as a basic tool to probe and characterization the transport prope