光刻机光源中单元光学系统ZEMAX模拟-物理电子学专业论文.docxVIP

华中科技大学硕士学位论文 华 中 科 技 大 学 硕 士 学 位 论 文 PAGE 10 PAGE 10 1 绪 论 1.1 光刻技术 光刻技术是将光刻版上的图形转移到涂有光刻胶的晶圆上，然后通过一系列生 产步骤将晶圆表面薄膜的特定部分除去的技术。1958 年，美国首次成功地把光刻技 术应用于集成电路（IC）制造中，从此以后，光刻技术就在不断发展，图形由简单 到复杂，线条由粗糙到精细，光源由光子到粒子，从表面光刻到深度光刻。光刻技 术现在已经成为决定集成电路按照摩尔定律（集成电路上可容纳的晶体管数目，约 每隔 18 个月增加一倍，性能提升一倍）发展的一个重要原因，如果没有光刻技术的 进步，集成电路就不可能从微米进入深亚微米再进入纳米时代[1]。 根据瑞利公式， R = kλ NA  （1-1） 其中，R 代表光刻分辨率，k 是一个与光刻胶和工艺条件有关的系数，λ 代表工 作波长，NA 代表光学系统数值孔径。可见，为了提高分辨率，获得较窄的光刻线宽， 常用的方法有采用更短的曝光波长或更大的数值孔径 NA。然而，NA 的增加会受到焦 深的限制[2]。因此，提高分辨率的最直接办法就是采用更短波长的光源。 过去的几十年中，光刻的曝光波长已从汞灯的 436nm 缩小到 356nm，进而到深 紫外波长 248nm 的 KrF 准分子激光[3]，193nm 的 ArF 准分子激光和更短波长的 157nm F2 准分子激光[4]。近些年研究的热点已经是 13.5nm 的极紫外光刻（Extreme Ultraviolet Lithography，EUVL）。 对于 157nm 光刻，由于存在 CaF2 光学镜头材料[5]、掩模及保护膜材料、抗蚀剂、 污染控制等方面的技术障碍，157nm 技术被很多研究机构放弃。目前，占光刻技术 产品化主导地位的是 193nm ArF 准分子光刻，采用浸没式光刻技术后，在 2009 年已 经突破了 32nm 制造工艺[6]。 但随着特征尺寸的不断变小，传统的光学投影光刻已经达到了物理极限，要研 发相应的光刻设备所付出的技术和资金代价都十分高昂，于是很多科研单位大公司 纷纷投入巨资开发既具高分辨力又具低成本的下一代光刻技术（NGL）。其中 EUVL 是最有前途的方法之一，其最明显的特点是曝光波长一下子降到 13.5nm[7]。 1.2 准分子激光光刻 1.2.1 准分子激光的原理 “准分子”是指在激发态能够暂时结合成不稳定分子，而在基态又迅速离解成 原子的缔合物，在准分子激光系统中，激光跃迁发生在束缚的激发态和排斥的基态 之间，属于束缚——自由跃迁[8]。 图 1-1 准分子能级图 图 1-1 为准分子的势能曲线。由激发态势能曲线可见，在某一核间距时势能最小， 这就是束缚态的特征。基态势能曲线随核间距的增加而单调下降，显示了原子相排 斥的特征。激光跃迁发生在束缚态和自由态之间。准分子跃迁到基态后立即解离， 这意味着激光下能级总是空的，只要激发态存在分子，就处于集居数反转状态。由 于激光下能级不是某个确定的振动—转动能级，跃迁是宽带的，因此准分子激光器 可以调谐运转[9]。现以放电泵浦 KrF *准分子激光器为例说明其激励过程[10]：在放电 过程中，被电场加速的自由电子与 Kr 原子碰撞产生大量受激氪原子(Kr *)，Kr*与含 卤素分子 NF3 碰撞产生 KrF *准分子。以上过程可表示为， e + Kr → Kr * +e Kr * + NF3 → KrF ? + NF2 (1-2) (1-3) 准分子激光器中常加入 He、Ne 或 Ar 等缓冲气体，其作用是使电子温度下降， 以便碰撞时产生更多的激发态粒子(如 Kr *)，而不产生过多的离子。与缓冲气体分子 的碰撞还可促使高振动能级的准分子向低振动能级驰豫。 1.2.2 光刻用准分子激光的研究进展 尽管有人对 193nm 传统光学光刻的潜力充满怀疑，但其仍以顽强的生命力，不 断突破所谓的极限分辨率，193nm 紫外光刻技术配合分辨率增强技术、浸没式技术 等，已经突破 32nm 技术节点。早在 1997 年，Nadeem H. Rizvi 等人就指出，在 193nm 准分子激光器中，将棱镜扩束后的宽光束通过光栅后可以有效地得到窄线宽，而且 棱镜扩束的倍数与棱镜的材料，棱镜顶角以及光束照射棱镜的入射角有关，并且他 们得到了熔融石英棱镜在不同入射角的扩束倍数[11]。2002 年，美国 Cymer 公司的 Palash Das 和 Richardl L.Sandstrom 详细介绍了用于光刻的准分子激光的特性和准分 子激光器的各功能模块，其中采用一块高色散光栅和三个扩束棱镜组成线宽压缩模 块[12]。同一年，德国人 Wolfgang Zschocke