硅基恒流二极管的设计-微电子学与固体电子学专业论文.docxVIP

贵州大 贵州大学硕士学位论文 万方数据 万方数据 HYPERLINK \l _bookmark0 4.1.2 衬底掺杂浓度对恒流二极管电学特性的影响 44 HYPERLINK \l _bookmark1 4.2 几何尺寸对恒流二极管电学特性的影响 46 HYPERLINK \l _bookmark2 4.2.1 栅漏间距对恒流二极管电学特性的影响 46 HYPERLINK \l _bookmark3 4.2.2 沟道长度对恒流二极管电学特性的影响 48 HYPERLINK \l _bookmark4 4.2.3 沟道厚度对恒流二极管电学特性的影响 48 HYPERLINK \l _bookmark5 4.3 恒流二极管器件的温度特性 50 HYPERLINK \l _bookmark6 4.4 动态电阻特性 52 HYPERLINK \l _bookmark7 4.5 本章小结 54 HYPERLINK \l _bookmark8 第五章 工艺技术和版图设计 55 HYPERLINK \l _bookmark9 5.1 主要的工艺技术 55 HYPERLINK \l _bookmark10 5.1.1 热氧化工艺 55 HYPERLINK \l _bookmark11 5.1.2 光刻工艺 56 HYPERLINK \l _bookmark12 5.1.3 离子注入工艺 57 HYPERLINK \l _bookmark13 5.1.4 欧姆接触工艺 58 HYPERLINK \l _bookmark14 5.1.5 封装 59 HYPERLINK \l _bookmark15 5.2 工艺流程 60 HYPERLINK \l _bookmark16 5.3 版图设计 62 HYPERLINK \l _bookmark17 5.4 器件 PSPICE 建模 63 HYPERLINK \l _bookmark18 5.5 器件实测结果 64 HYPERLINK \l _bookmark19 5.5.1 测试仪器介绍 64 HYPERLINK \l _bookmark20 5.5.2 器件实测结果 65 HYPERLINK \l _bookmark21 5.6 本章小结 68 HYPERLINK \l _bookmark22 第六章 结论 69 HYPERLINK \l _bookmark23 致谢 71 HYPERLINK \l _bookmark24 参考文献 72 II 硅基恒流二极管的设计 摘要 随着日常生活中电子产品应用的普及以及半导体分立器件产业的高速发展，使得恒 流源面临着性能更精确、更稳定的挑战。作为硅恒流器件中最具典型的代表之一，恒流 二极管具有恒流性能好，开启电压低，高击穿电压和高稳定性等电学优点而且价格便宜， 使用简单灵活，在各种恒流源、稳压源和保护电路中都有着重要的应用。 本文设计了一个基于 JFET 的简单结构的恒流二极管，在设计中首先确定了其在半 导体工艺上的制造流程和方法。对恒流二极管关键参数进行仿真分析，进一步了解关键 参数对器件电学性能的影响：仿真结果显示沟道浓度增大，器件恒定电流值增大，开启 电压也增大，器件击穿电压呈衰减的趋势；沟道长度增大，导致器件恒流值变小，开启 电压与击穿电压基本保持不变；沟道厚度增大主要使得器件的开启电压增大，恒流值增 大等。本论文设计得到了一个开启电压为 3.7V，击穿电压为 114V，恒流值为 40mA，温 度系数为-0.20%/K，动态阻抗为 69 k??的恒流二极管器件。本文对恒流二极管器件理论 和仿真分析结果与工厂流片结果基本一致，对器件的实测结果表明利用工艺仿真软件对 半导体器件进行实验分析具有现实的指导意义。 关键词：恒流源，恒流二极管，恒流值，沟道浓度，工艺仿真 III Abstract With the popularization of electronic products in daily life, as well as the rapid development of semiconductor discrete devices industry, constant current source is facing the challenge of more accurate and more stable performance. Current Regulative Diode(CRD)is one of the most typical representative of the silicon constant current devi