第2讲-功率半导体-电力二极管.PPTVIP

组合装配和连接技术 (AVT)- 提高抗温度和负载变化的可靠性- 改善散热效果(绝缘基板，基板，散热器)- 通过改善外壳和灌注材料和配方来提高抗气候变化的适应性- 优化内部连接和外部配件布线- 优化外形使安装更简便- 降低成型成本，提高环保意识，提高回收再利用的可能性 特性 对续流二极管在整流与逆变运行中的要求 主要参数及选型 二极管串联与并联 二极管应用注意事项 2、对续流二极管在整流与逆变运行中的要求 温度与反向阻断电压：温度升高，阻断电压略有升高，漏电流增大，雪崩能力下降。 温度上升，通流能力下降，正向压降降低。 温度升高，反向恢复电流增大，恢复时间、恢复电荷变大。 同一系列不同型号时，反压阻断电压高，则正向压降大；恢复时间短，则则正向压降大。 二极管损耗包括：开通损耗、通态损耗、关断损耗和阻断损耗。 ①开通损耗：发生在二极管由反向阻断到正向开通的转换中。开通损耗与芯片温度、结构工艺和di/dt有关。 ②通态损耗：发生在正向导通期间，损耗与芯片温度、电流大小有关。 ④阻断损耗：发生在反向阻断期间由漏电流形成的损耗。 4、快速功率二极管串联与并联 二极管并联 成熟产品 通用参数产品，易替代 标准封装产品，通用性强 工作频率高于1kHz时，一定选用快恢复二极管； 主电路中，电流连续时使用快恢复二极管； 肖特基二极管使用时注意防止dv/dt过高。 二极管故障表现 ①电压击穿：由反向电压超过额定值引起，表现为点击穿或边沿击穿； ②过热损坏：长时间工作较大损耗下，特性下降，直至烧毁，芯片上有大面积灼伤，甚至封装遭到破坏。 二极管选择原则 额定电流 额定电压 工作频率：反向恢复时间 散热方式：热阻、封装、存储温度、耗散功率（规定散热条件下允许的最大总功耗） 静态均压：当截止电压大于1200V的二极管串联时，一般来说才需要外接并联电阻。 根据经验，电阻中电流大约是二极管漏电流的6倍。一般认为流经电阻电流约为最大截止电压下二极管漏电流的3倍时电阻值就足够了。此时电阻中仍有可观的损耗。 5、二极管应用注意事项 ①选用原则 ②使用要求 避免串联使用，易导致关断瞬间或阻断状态不均压； 并联使用时，注意均流、均热、加大定额； 均流：选择同型号并联，布线考虑回路参数一致； 均热：选择同一封装器件，使用同一散热器，尽量靠近，外部发热源对二极管影响一致； 加大定额：电流降额增加20%； 使用肖特基二极管时，注意正向损耗和反向漏电损耗的均衡。 ③注意事项 --The End-- 第2讲 电力二极管 主讲：孙向东 * 一、功率半导体的应用及目前的局限 MOSFET:最高500kHz水平； 1200V-IGBT：8-10kHz，20kHz(单管)，40-50kHz 高压IGBT：1-3.5kHz IGCT：750Hz-1kHz * 半导体发展总体目标: - 提高功率(电流，电压) - 降低半导体控制和开关时损耗 - 扩展工作温度的范围 - 提高使用寿命，稳定性和可靠性 - 在降低失误率的同时简化控制和保护电路 - 降低成本 * 发展的方向大致可分为: 半导体材料 - 新型的半导体材料 (如宽带材料) SiC和GaN半导体相比传统的组件有下面主要优点： - 很低的控制和开关损耗 - 更高的阻断电压 - 更高的功率密度 - 更高的可靠工作温度 - 更短的响应时间，更高的开关频率 * 芯片技术 - 提高芯片可靠工作的温度和电流密度(减少面积) - 更精细结构(减少面积) - 新型的结构(性能改进) - 芯片上集成性能(例如，栅极电阻，温度测量，单片系统集成) - 根据功能组合新的单片器件（RC - IGBT，ESBT) - 提高芯片在气候影响下的性能稳定性 集成化程度- 提高功率模块的集成规模以降低系统成本- 提高控制、监测和保护功能的集成- 提高整个系统的集成 电力二极管 PiN结二极管中的导电离子是带负电的自由电子和带正电的空穴，称之为双极器件。 肖特基二极管中只有带负电的自由电子，称之为单极器件。 1、电力二极管特性 * ①二极管静态特性 导通特性：在中小电流时正向导通电压同温度系数成反比，即在电流为常数时，温度越高正向导通电压就越低。在大电流时情况正相反。电流流过二极管会产生损耗(等于电流乘以电压)，会使二极管变热，这个热量限制了二极管的允许正向电流值，因 为过大会烧坏二极管。 * 截止特性： 反向击穿电压VR是指截止电流在该电压下不应超过给定的临界值IR。参数表的数值是在温度为25°C时的测量值。当温度下降时，反向阻断的能力也会下降。例如，一个耐压1200V的二极管温度变化率为1.5 V/K。如果元件在低于室温的条件下运行，这种影响必须引起注意。 当温度提高时，阻断能力相应提