第3讲-功率半导体-MOSFET3.PPTVIP

功率MOSFET原理及特性 主要参数 曲线图说明 功率MOSFET选型 使用注意事项 现状与发展 最高工作频率? 在漏源电压UDS的作用下，电子从源区通过沟道到达漏区是需要一定的时间的，当控制信号的周期与此时间相当时，电子就来不及跟随信号的变化，这个信号的频率就是场效应管的最高工作频率。 最高结温TjM ?最高结温TjM是指MOSFET正常工作时所允许的最高温度。它与所使用的材料、工艺有直接关系。目前Si材料的MOSFET工业品允许的最高结温为125℃。 器件所能承受的最大电压。额定电压越大，器件的成本就越高。 根据实践经验，额定电压应当大于保护值，使MOSFET不会失效。就选择MOSFET而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。 知道MOSFET能承受的最大电压必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须要有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。 需要考虑的其他安全因素发生的电压瞬变。 MOSFET在关断瞬间，会承受到最大的电压冲击，这个最大电压跟负载有很大关系：如果是阻性负载，则来自VCC端的电压，但还需要考虑电源本身的质量，如果电源质量不佳，需要在前级加些必要的保护措施；如果是感性负载，则承受的电压会大很多，因为电感在关断瞬间会产生感生电动势，其方向与VCC方向相同，承受的最大电压为VCC与感生电动势之和；如果是变压器负载的话，在感性负载基础上还需要再加上漏感引起的感应电动势。 对于以上几种负载情况，在计算出（或测出）最大电压后，再留有20%~30%的裕量，就可以确定所需要的MOSFET的额定电压VDS值。 为了更好的成本和更稳定的性能，可以选择在感性负载上并联续流二极管与电感在关断时构成续流回路，释放掉感生能量来保护MOSFET，如果必要，还可以再加上RC缓冲电路（Snubber）来抑制电压尖峰。 视电路结构而定，该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，必须确保所选的MOSFET能承受这个额考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOSFET处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。 选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况下，MOSFET并不是理想的器件，因通损耗。MOSFET在导通时就像一个可变电阻，由器件的RDS(ON)所确定，并随温度而显著变化。器件功率耗损可由Iload2×RDS(ON)计算也会随之按比例变化。 对MOSFET施加的电压VGS越高，RDS(ON)就会越小。注意RDS(ON)电阻会随着电流轻微上升。关于RDS(ON)电阻的各种电气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。 计算系统的散热要求。 必须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果保证系统不会失效。在MOSFET的资料表上需要注意的测量数据；比如封装器件的半导体结与环境之间的热阻，以及最大的结温。???? 器件的结温等于最大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积(结温=最大环境温度+[热阻×功率耗散])。 根据这个方程可解出系统的最大功率耗散，即可已确定将要通过器件的最大电流，因此可以计算出不同温度下的RDS(ON)。 功率器件的导通损耗和开关损耗构成了器件的总功耗。对于MOSFET来说，由于开关速度快，在估算时可以近似认为导通损耗为主要损耗。这样用总功耗除以工作电流的平方得到RDS(ON) 。 RDS(ON) ≈P/I2LOAD?当然，导通电阻值也是需要留有一定裕量的，因为这是近似计算的结果。这里计算需要考虑的情况是，导通电阻值是随温度而变化的（可选最大值作选择依据），而且也会受VGS影响（VGS越大， RDS(ON)越小），设计时要根据系统实际情况设定VGS值。 MOS管的功耗主要有开关损耗和通态损耗。? 首先要计算通态损耗的影响： Pcond=Idsrms*Idsrms*RDS（on）*Dmax? 例如：Idsrms=11A时，Dmax接近100%，RDS（on）取8mΩ，Pcond约1W。? 再估算开关损耗： PSW=VDSoff*Idsrms*(tr+tf)*f/2。? 例如：tr+tf=600ns,f=15625Hz,VDSoff取24V，PSW=1.24W。? Pmos=Pcond+PSW=2.24W。 如果MOS采用单个IRF3205?,不加散热片时的热阻是62度/W。此时的温升是62*2.24=138度。所以不管其他的条件，在这应用里必须加装良好的散热器。 影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/?源极及漏极/源极电容。 这些电容会在器件中产生开关损耗，为计算开关过程中器件的总损耗，必须计算