第6讲-故障行为与保护.PPTVIP

功率半导体在任何时候，都必须保证在允许的工作范围内工作，任何超出允许范围的行为都会造成损害，从而导致寿命缩短，有时甚至会立即损毁半导体器件。 当功率半导体上的电压因为过电压而总值超过击穿电压值时，就会出现损毁危险。这不仅适用于晶体管，而且对二极管也适用。 对IGBT和MOSFET模块，过电压可以出现在集电极和发射极(或漏极和源极)之间，即两个主要端口接口之间，也可以出现在栅极和发射极(或栅极和源极)之间，即控制端口接口之间。 当温度超过制造商给出的最高允许结层温度时(如对硅材料器件，Tjmax=150°C到175°C)，就会出现过热危险。 原则上，在过载时的关断和导通特性同在额定条件下“正常运行”时的特性没有什么不同，只是由于较大的负载电流会在器件内部产生较高的损耗，或者比如二极管通过动态失效而被损坏。 在实际应用时，为了保证元件的安全运行，必须保证遵守最高允许结温不被超过，以及保证过载可能发生的范围在安全工作区域内。不仅是结温的绝对值，而且还在过载时出现的温度瞬时变化值都应被限制在一定的安全区域内。 一般来说，IGBT和MOSFET都是短路安全的元件，就是说，在一定的条件下，它们可以承受短路带来的伤害，并及时关断，从而使功率半导体元件不被损坏。 短路2是在晶体管已经在开通的状态下发生短路。同短路1相比，这时晶体管受到的危害更严重。 快速保护是指当开关故障或开关动作后不久的故障被检测到，并立即被驱动器关断。开关电路的整个反应时间只有几十纳秒。 如果故障发生在开关以外，首先它必须先发送一个故障信号到换流器的控制部分，然后从控制驱动得到一个保护反应，这通常被称为慢速保护，有时还会通过换流器的工作过程来控制和调节处理(例如系统的过载反应)。 现代电源变换器通常采用慢速和快速保护方法相结合的办法，它根据在应用中的整体保护策略和设计理念而确定。 在IGBT上的传感器是由在发射极的几个传感单元以及一根平行于电流通路的线路所构成。通过测量电阻RSense就可以得到集电极电流的信息。在RSense=0时，电流在发射极和感应电路是理想分布，它们之间的电流比值为发射极传感单元数量同总传感单元数量的比值。随着RSense的增加，则测量回路中导通电流将因为测量信号的反馈而减少。 为了精确测量集电极电流，测量电阻RSense应限制在1到5欧姆的范围内。 ③动态栅极控制 3、控制端子间的过电压限制 4、过温检测 --The End-- 第6讲 故障行为与保护 主讲：孙向东 * 内容 一、故障类型 二、过载和短路特性 三、故障检测与保护 一、故障类型 1、故障电流 故障电流是指因为控制错误或者或负载过大，导致超出其工作点范围的集电极或漏极电流。 通过以下机制损坏半导体功率: - 过高的功耗导致热损坏 - 动态雪崩击穿损坏 - 静态或动态闭锁效应 (Latch-up) - 由于故障电流导致的过电压 分为以下几种故障电流: ①过电流 特点: - 通常比较低的集电极电流变化率 (取决于负载电感，驱动电压) - 故障电流流过直流母线 - 晶体管不离开饱和区 原因: - 负载阻抗的减少 - 换流器中的控制和调节错误 ②短路电流 特点: - 非常高的集电极电流上升率 - 故障电流流过直流母线 - 晶体管不离开饱和区 原因: - 桥臂支路短路 + 由于开关故障引起 + 由于开关错误的驱动脉冲引起 - 负载短路 + 由于绝缘失效 + “人为” 失误 (不正确的连接布线等) 桥臂支路短路 负载短路 ③接地故障电流 特点: - 集电极电流上升速率取决于接地电感和工作电压 - 接地回路并不经过直流母线 - 故障电流的大小决定了晶体管的去饱和程度 原因: - 带电导体同地线之间有连接(通过绝缘失效或“人为”失误) 接地故障 2、过电压 ①主电路端子间过电压 对于换流回路，原则上可以把过电压分为外部和内部过电压。 外部过电压是指外加的换流电压vK，它瞬态电压上升并超过额定电压。比如在直流电网的电气化铁路系统中以及其他能源供应电网中发生。类似的情况还有直流母线电压瞬间超高(例如，通过反馈型负载的变化或脉冲整流器的控制错误而引起)。 内部过电压是因为功率开关关断时换流回路电感LK造成的(Δv = LK · diK/dt)，或因为开关过程中引起的震荡而产生的。 开关过电压产生的典型情形: - 在换流器正常工作时，负载电流iL被有源开关S1和S2主动关断: 在许多实际应用中，如电感LK是由变压器构成的，它在1到100μH数量级之间。 - 在硬性开关换流器或零电流开关(ZCS)换流器中，快速二极管被动关断，产生反向恢复电流(反向恢复): 对零电流开关(ZCS)换流器，在原理上