第7讲-损耗计算-热性能与冷却技术4.PPTVIP

电路功率损耗计算 结温计算 利用SemiSel计算功耗和温度 冷却技术 2)短时间工作的结层温度 对于短时间运行的半导体，在给出的条件下，导致结层温度的最高值将不会超过极限值Tj(max)。可以利用热阻抗Zth来计算Tj。 对于在毫秒数量级的脉冲只需要考虑Zth(j-c)和壳体温度常数Tc。 在脉冲到接近1秒的范围内，可以利用模块的阻抗Zth(j-s) = Zth(j-c)+ Zth(c-s)和散热器温度常数来计算。 对于较长的脉冲串，应该使用总阻抗Zth(j-a) = Zth(j-s) + Zth(s-a)来计算。 *单脉冲 结层温度在单一功耗脉冲的作用下，在时间t1发生温度变化，它的计算方法为: 对于结层温度在散热阶段为: *m功耗脉冲串 结层温度在m功耗脉冲串的作用下，在时间t1发生温度变化，计算如同单一脉冲。结层温度在t2时刻的计算为: 在tm时刻的值为: 这些公式都是基于一个固定的参考温度。利用这些公式可以进行任意时间离散化处理，从而完成了复杂的随时间变化的温度曲线计算程序。 *重复脉冲的结层温度 为了计算周期反复的功耗脉冲的最高结层温度，可以使用数据文件给出的晶体管和二极管在周期脉冲工作中的Zth(j-c)曲线。 平均结层温度Tj(av)是静态热阻Rth同平均总功耗平均值Pav的乘积。这个平均值可以通过每个脉冲的能耗除以周期T得到。最高结层温度是在功耗脉冲P(tp)结束的时刻，为 3)基频时的结层温度 换流器输出基频影响结层温度随时间的变化，这个过程的计算只能依靠计算机才有可能。为了能把正弦半波在IGBT和续流二极管的结层温度叠加起来，它必须同时在脉冲周期内，计算整个热力系统和电气系统。 通过给出逆变器的一些参数，如母线总线电压和负载电流的瞬时值，可以在脉冲周期内，利用存储的曲线对开关损耗的能量进行计算。结层温度的瞬时值可以根据温度系数进行实时计算。图中显示了在不同的输出基频下，模拟的IGBT模块结层温度的时间过程和功耗的平均值。 1200 V/50A的IGBT模块在逆变工作时，不同的基频产生的结层温度和功耗曲线 vd=540 V，i1eff=25 A， fs = 8 kHz，cos j = 0.8，m =0.8， Th =50°C 在50赫兹的频率下，最高结层温度只高于平均值4-5K。在低频率段，因为明显增高的最高结层温度，采用按平均结层温度对系统进行热力设计是不允许的。因此，对逆变器除了过电 流参数外，在额定功率时的最低频率也是一个关键参数。 随着频率的降低，虽然功耗的平均值保持一个常数，但结层温度会上升。在高频率段，半导体的热容量(壳体)也影响温度变化。在低频率段(2到5赫兹)结层温度随着功耗而变化，这导致了在平均温度周围的温度波动。 对于给定的散热片温度和开关频率，有些电源模块的允许输出电流有效值下降。 对于功率模块的热力系统设计，一个特别值得注意的情况就是由逆变器供电，由电压和频率控制启动的三相交流电机。 三相电机的启动过程 --The End-- 第7讲 损耗计算、热性能与冷却技术 主讲：孙向东 内 容 0、功率损耗计算方法 一、电路功率损耗计算 电流波形系数 1、二极管整流电路 举例 举例 举例 举例 2、交流调压电路 3、DC-DC变换电路 1）Buck斩波器 Ki: 开关损耗随电流变化的指数系数，在1左右 Kv: 开关损耗随电压变化的指数系数，在1.3到1.4左右 举例 2）Boost斩波器 4、DC-AC逆变电路 1）三相PWM逆变器 举例 2）单相PWM逆变器 二、结温计算 1、热阻定义 热阻Rth(j-s)(静态)或者热抗Zth(j-s)(动态)的定义为 对没有底板模块就不易分开测量，所以定义一个总的阻抗。 对含有底板的模块，热阻或者热抗被分为外部部分(Rth(c-s) 和Zth(c-s)，底板和冷却板间)和内部部分(Rth(j-s) 和 Zth(j-s) ，芯片和底板间): 2、热阻模型 3、IGBT 的热阻 热阻在模块中描述了IGBT开关静态散热能力，它同开关并联的IGBT芯片的数量无关。通常情况下，多个IGBT开关和续流二极管排列在一个模块中，因此考虑整个模块。 IGBT和二极管产生的功率损耗导致模块发热。 j –结层，c –基板， s –外壳或散热器， a –外环境 热等效电路可以使用电工参数代替热参数。功率损耗源Ptot(T/D)相当于一个对应的电流源，恒温用一个电压源来表示，而热阻抗Zth(x-y)是用RC网络表示。 阶梯型的“物理”等效电路(Cauer网络) (Foster网络)连锁型“数学”等效电路 Zth四级模拟等效电路 典型的IGBT和反向二极管的热阻抗 Zth(j-c) or