1-常用半导体器件(场效应管).pptVIP

低频电子线路 0 导 言 电子电路——由若干相互联接、相互作用的基本电子电路组成的、具有特定功能的电路整体 1.1 半导体基础知识 二、本征半导体的晶体结构 四、本征半导体中载流子的浓度 1.1.3 PN结 小结 本征半导体 N型半导体 P型半导体 PN结具有单向导电性 PN结具有电容效应（一般情况下是有害的 ）。 1.2 半导体二极管 1.2.1 二极管的常见结构 1.2.2 二极管的伏安特性 1.2.3 二极管的主要参数 1.2.4 二极管的等效电路 1.2.5 稳压二极管 1.2.6 其它类型二极管 小结 二极管的伏安特性 二极管的主要参数 二极管的等效电路 稳压二极管 作业P69 ：1.3；1.5；1.7 结构： 三个区：发射区、基区、集电区； 两个结：发射结、集电结； 三个电极：发射极e 、基极b 、集电极e。 结构特点： 发射区掺杂浓度高、基区掺杂浓度低且薄； 发射结面积小、集电结面积大。 共射极放大电路举例 小结 晶体管的结构 晶体管的电流放大作用 晶体管的特性曲线 晶体管的主要参数 P70作业：10（图中uI改成VBB），11，12 (4) UDS 对导电沟道的影响 (UGS UGS(th) ) 导电沟道呈现一个楔形。漏极形成电流 ID 。 b. UDS= UGS – UGS(th)，UGD = UGS(th) 靠近漏极沟道达到临界开启程度，出现预夹断。 c. UDS UGS – UGS(th) ，UGD UGS(th) 由于夹断区的沟道电阻很大，UDS 的增大部分几乎全部用于克服夹断区对漏极电流的阻力， 因而iD基本不变。 a. UDS UGS – UGS(th) ，即 UGD = UGS – UDS UGS(th) P 型衬底 N+ N+ B G S D VGG VDD P 型衬底 N+ N+ B G S D VGG VDD P 型衬底 N+ N+ B G S D VGG VDD 夹断区 D P型衬底 N+ N+ B G S VGG VDD P型衬底 N+ N+ B G S D VGG VDD P型衬底 N+ N+ B G S D VGG VDD 夹断区 图 1.4.9　UDS 对导电沟道的影响 (a)UGD UGS(th) 在UDS UGS – UGS(th) 时，对应于不同的uGS就有一个确定的iD 。此时， 可以把iD近似看成是uGS控制的电流源。 (b)UGD=UGS(th) (c)UGD UGS(th) 2. 特性曲线与电流方程 (a)转移特性 (b)输出特性 UGS UGS(th) ，iD = 0； UGS ≥ UGS(th) ，形成导电沟道，随着 UGS 的增加，ID 逐渐增大。 (当 UGS UGS(th) 时) 三个区：可变电阻区、恒流区(或饱和区)、夹断区。 UGS(th) 2UGS(th) IDO uGS /V iD /mA O 图 1.4.10 (a) 图 1.4.10 (b) iD/mA uDS /V O 预夹断轨迹 恒流区 可变电阻区 夹断区。 UGS增加 二、N 沟道耗尽型 MOS 场效应管 P型衬底 N+ N+ B G S D ++++++ 　　制造过程中预先在二氧化硅的绝缘层中掺入正离子，这些正离子电场在 P 型衬底中“感应”负电荷，形成“反型层”。即使 UGS = 0 也会形成 N 型导电沟道。 ++++++ ++++++ 　　UGS = 0，UDS 0，产生较大的漏极电流； 　　UGS 0，绝缘层中正离子感应的负电荷减少，导电沟道变窄，iD 减小； 　　UGS = UP , 感应电荷被“耗尽”，iD ? 0。 UP或UGS(off)称为夹断电压 图 1.4.11 N 沟道耗尽型 MOS 管特性 工作条件： UDS 0； UGS 正、负、零均可。 iD/mA uGS /V O UP (a)转移特性 IDSS 耗尽型 MOS 管的符号 S G D B (b)输出特性 iD/mA uDS /V O +1V UGS=0 -3 V -1 V -2 V 4 3 2 1 5 10 15 20 N 沟道耗尽型MOSFET 三、P沟道MOS管 1.P沟道增强型MOS管的开启电压UGS(th) 0 当UGS UGS(th) ， 漏-源之间应加负电源电压 管子才导通,空穴导电。 2.P沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS(off)＞0 UGS 可在正、负值的一定范围内实现对iD的控制， 漏-源之间应加负电源电压。 S G D B P沟道 S G D B P沟道 四、VMOS管 VMOS管漏区散热面积大， 可制成大功率管。 增强型 绝缘 栅型 N 沟道 耗尽型 结型 P 沟道 耗尽型 结