第14讲 MOS管放大电路课件.pptVIP

Vgs=-Vt，输出电阻较小。 Vgs=-Vt，输出电阻较小。 精品 5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.3 结型场效应管（JFET） *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较 5.2 MOSFET放大电路 精品 P沟道 耗尽型 P沟道 P沟道 N沟道 增强型 N沟道 N沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 场效应管的分类： (电场效应，单极性管，电压控制电流) 增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道 耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在 N沟道 P沟道 （耗尽型） 精品 场效应管的符号 N沟道MOSFET 耗尽型 增强型 P沟道MOSFET N沟道JFET P沟道JFET 精品 N沟道增强型MOSFET工作原理 （1）vGS对沟道的控制作用 当vGS≤0时 无导电沟道， d、s间加电压时，也无电流产生。 当0vGS VT 时 产生电场，但未形成导电沟道（感生沟道），d、s间加电压后，没有电流产生。 当vGS ≥VT 时 在电场作用下产生导电沟道，d、s间加电压后，将有电流产生。（平板电容器） vGS越大，导电沟道越厚 VT 称为开启电压，典型值0.5-1Ｖ 精品 2. 工作原理 （2）vDS对沟道的控制作用 ?靠近漏极d处的电位升高 ?电场强度减小 ?沟道变薄 当vGS一定（vGS VT ）时， vDS? ?ID? ?沟道电位梯度? 整个沟道呈楔形分布 精品 当vGS一定（vGS ≥VT ）时， vDS? ?ID? ?沟道电位梯度? 当vDS增加到使vGD=VT 时，在紧靠漏极处出现预夹断。 2. 工作原理 （2）vDS对沟道的控制作用 在预夹断处：vGD=vGS-vDS =VT 精品 预夹断后，vDS? ?夹断区延长 ?沟道电阻? ?ID基本不变 2. 工作原理 （2）vDS对沟道的控制作用 精品 2. 工作原理 （3） vDS和vGS同时作用时 vDS一定，vGS变化时 给定一个vGS ，就有一条不同的 iD – vDS 曲线。 精品 3. V-I 特性曲线及大信号特性方程 ① 截止区 当vGS＜VT时，导电沟道尚未形成，iD＝0，为截止工作状态。 ② 可变电阻区 vDS≤（vGS－VT） ③ 饱和区 （恒流区又称放大区） vGS VT ，且vDS≥（vGS－VT） 精品 3. V-I 特性曲线及大信号特性方程 （1）输出特性及大信号特性方程 ② 可变电阻区 vDS≤（vGS－VT） 由于vDS较小，可近似为 rdso是一个受vGS控制的可变电阻 精品 3. V-I 特性曲线及大信号特性方程 （1）输出特性及大信号特性方程 ② 可变电阻区 ?n ：反型层中电子迁移率 Cox ：栅极（与衬底间）氧化层单位面积电容 本征电导因子 其中 Kn为电导常数，单位：mA/V2 精品 3. V-I 特性曲线及大信号特性方程 （1）输出特性及大信号特性方程 ③ 饱和区 （恒流区又称放大区） vGS VT ，且vDS≥（vGS－VT） 是vGS＝2VT时的iD V-I 特性： 精品 3. V-I 特性曲线及大信号特性方程 （2）转移特性 精品 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 1. 结构和工作原理（N沟道） 二氧化硅绝缘层中掺有大量的正离子 可以在正或负的栅源电压下工作，而且基本上无栅流 精品 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 1. 结构和工作原理（N沟道） 当vGS0时 由于绝缘层的存在，并不会产生栅极电流，而是在沟道中感应出更多的负电荷，使沟道变宽。在vDS的作用下，iD将有更大的数值。 沟道变窄，从而使漏极电流减小。当vGS为负电压到达某个值时，耗尽区扩展到整个沟道，沟道完全被夹断，即使有vDS ，也不会有漏极电流iD ，此时的栅源电压称为夹断电压VP 。 当vGS 0 时 VP 为负值。 精品 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 2. V-I 特性曲线及大信号特性方程 （N沟道增强型） 用夹断电压代替开启电压 （N沟道增强型） 饱和漏电流 精品 5.1.3 P沟道MOSFET 除vGS和vDS的极性为负以及开启电压VT为负以外，电流iD流入源极，流出漏极，其他和NMOS相同。 因为NMOS器件可以做得更小，运行更快，并且NMOS比PMOS需要的电源更低，因此NMOS已经取代了PMOS技术。 CMOS BiCMOS 精品 5.1.4 沟道长度调制效应 实际上饱和区的曲线并不是平坦的 L的单位为?m 当不考虑沟道调制效应时，