吉林大学半导体课件第六章(精).pptVIP

说明与声明 《半导体器件物理学习指导》是编者在吉林大学电子科学与工程学院为 微电子学、光电子学、电子科学与技术等专业本科生讲授《半导体器件 物理》课的过程中为便于学生学习和使用所用《半导体器件物理》教材 （孟庆巨、刘海波、孟庆辉著，科学出版社2005年1月出版，2006年6月 第三次印刷）而编写的与教材配套的辅导性学习参考材料。按照教材的内 容和教学要求《半导体器件物理学习指导》包括以下四个方面的内容： 一 .重要名词、术语、概念和问题 二. 重要理论推导 三. 重要图表 四. 重要习题解答 说明与声明 欢迎和感谢对《半导体器件物理学习指导》的使用。由于作者水平所限， 编写时间仓促，错误之处在所难免 ，欢迎和感谢批评指正。 《半导体器件物理学习指导》仅供师生教学使用， 尚未作为文字出版物出 版，但是《半导体器件物理学习指导》作为2005年吉林大学精品课和 2005年吉林省精品课《半导体器件物理与实验》课程的网上资源已经上 网。任何未经本人允许而销售或在任何出版物中引用《半导体器件物理学 习指导》中的任何材料的做法都将被视为是侵犯编者的知识产权的行为。 《半导体器件物理学习指导》编者 孟庆巨 于吉林大学 2006年6月30日 第六章 金属－氧化物－半导体 场效应晶体管 一 名词 术语 概念 问题 理想MOS结构：理想结构基于以下假设：（1）在氧化物中或在氧化物和半导体之间的界面上不存在电荷;（2）金属和半导体之间的功函数差为零;（3）层是良好的绝缘体，能阻挡直流电流流过。因此，即使有外加电压，表面空间电荷区也处于热平衡状态，这使得整个表面空间电荷区中费米能级为常数。 载流子积累：随着外加偏压的改变，半导体表面的多数载流子浓度可能大于体内热平衡多数载流子浓度，这种现象称为载流子积累。 载流子耗尽：在外加偏压的作用下，半导体表面的多数载流子浓度大大低于体内热平衡多数载流子浓度，少数载流子浓度增加，大于体内热平衡多数载流子浓度但仍远远低于电离杂质浓度。与电离杂质浓度相比，自由载流子浓度可以忽略，这种现象称为载流子耗尽。（或：在外加偏压的作用下，半导体表面自由载流子浓度与电离杂质浓度相比可以忽略的现象称为载流子耗尽。） 载流子反型：在外加偏压的作用下，半导体表面的少数载流子浓度等于或高于本征载流子浓度的现象称为载流子反型。 沟道电荷：半导体表面反型层中的反型自由载流子电荷。 解释出现反型层以后的电容C与测量频率有关的现象。 答：所谓电容与测量频率有关，就是与交变信号电压的频率有关。 在出现反型层以后，特别是在接近强反型时，表面电荷由两部分所组成：一部分是反型层中的电子电荷 ，它是由少子的增加引起的。另一部分是耗尽层中的电离受主电荷 ，它是由于多子空穴的丧失引起的。 表面电容 为 考虑 是怎样积累起来的。例如，当MOS上的电压增加时，反型层中的电子数目要增多。P型衬底中的电子是少子，由衬底流到表面的电子非常少，因此，反型层中电子数目的增多，主要依靠耗尽层中电子—空穴对的产生。在反型层中实现电子的积累是需要一个过程的。这个过程的弛豫时间由非平衡载流子的寿命所决定，一般比较长。同样，当MOS上的电压减小时，反型层中的电子要减少。电子数目的减少主要依靠电子和空穴在耗尽层中的复合来实现。 如果测量电容的信号频率比较高，耗尽层中电子—空穴对的产生和复合过程跟不上信号的变化，那么，反型层中的电子电荷 也就来不及改变。于是， 这样在高频情况下， 随着直流偏压 的增加， 增大，电容C减小。当表面形成了强反型层时，强反型层中的电子电荷随直流偏压的增加而e指数地增加，对直流偏置电场起屏蔽作用。于是，耗尽层宽度不再改变，达到极大值 。这时，MOS系统的电容C要达到极小值