UHF低噪声放大器的简化设计方案.docVIP

2007年全国微波毫米波会议论文集 第三部分 微波毫米波有源器件及电路 PAGE 604 PAGE 605 UHF低噪声放大器的简化设计 李平辉 南京理工大学通信工程学院微波教研室 摘要：低噪声放大器(LNA)是通信系统射频前端的重要组成。本文给出了一种低噪声放大器的简单设计方法，即选用阻性负载法对电路进行稳定化处理，并在此基础上设计匹配电路。实践证明该方法简单、有效，且成本极低。 关键字：低噪声放大器 Design method for a UHF simple LNA Li Ping Hui Department of Satellite Communication ICE, PLAUST, Nan Jing 210007, China Abstract: This paper present a simple structure for a UHF LNA. The design procedure and example are given. Key Words: LNA 1 引言联系方式： 联系方式：li_ph@。 射频接收前端电路主要包括低噪声放大器、下变频器和本振源组成。前端电路设计的依据是整机系统指标，如接收机的灵敏度、动态范围以及对带外干扰信号抑制的能力等等。 UHF频段从300MHz─3000MHz，是当前无线通信应用比较集中的一个频段，如WLAN、GPS、GSM等等，所以该频段对射频模块电路的需求量大。UHF低噪声放大器的设计除电性能的要求外，还希望其低成本和可批量生产。 本文介绍低成本UHF低噪声放大器的设计方法，给出了一个实例，其工作的中心频率为400MHz，设计结果满足了预期的要求。 2 低噪声放大器指标与设计流程 低噪声放大器主要参数： 工作频率f及带宽△f； 噪声系数NF； 增益G及增益平坦度； 输入输出反射系数（VSWR）； 动态范围； LNA电路设计的基本流程： 低噪声放大器的主要指标是噪声系数，但随着人们对频率资源的不断开发与利用，空间电磁环境更加复杂，所以LNA的动态范围也成一个重要指标。 在UHF频段，低噪声放大器的器件可以用GaAs FET、HEMT、pHEMT、BJT，其中双极晶体管BJT的性价比最好。近年来，高迁移率晶体管pHEMT以其极低的噪声性能和高的动态范围更倍受重视。 3 稳定性处理的措施 放大器电路必须满足的首要条件之一是在其工作频段内的稳定性，否则电路在一定的条件下有产生振荡的趋势，绝对稳定的条件用器件的S参数表示如下： (1) (2) 其中： (3) 大多数的器件在UHF频段都是不稳定的，即K1，需要进行稳定性处理，一种措施是利用反馈电路，包括串联反馈和并联反馈如图2所示；另一种是阻性负载法，即在输入与输出端加入有耗元件的方法如图3所示。两者处理的目标都是使电路的稳定性因子K1，而后者电路简单，且频响好，但放大器的功率输出能力下降，致使LNA电路的动态范围减小。若采用后者，需要对LNA电路的各指标进行折衷。 图1 低噪声放大器的设计流程 4 阻性负载法处理的过程 在设计中，选用Agilent公司的低噪声BJT器件AT-41511，选用阻性负载的方法对其进行稳定化处理，在保证噪声系数满足要求的情况下达到稳定化。 图4. 给出了设计中采用的稳定措施的结果，这里只用一个负载电阻来实现，这一电路在文献中很少出现，处理的重点是对NF和P-1dB的折衷。 图2 反馈方法 图3 阻性负载 图4 本文所采用的形式 A. 确定工作点 选定器件之后，首先针对器件的特性与直流偏置关系进行扫描分析，包括噪声系数、P-1dB与基极电流、集电极电压之间的变化情况，AT41511的器件参数包括spice模型及S参数取自厂家的产品手册，分析结果如下： 图5 噪声系数随直流偏置的变化 若要求NF=1dB、P-1dB=-8 dBm，则可选Ib=30uA，而VCE在3V至5V之间均可。 图6 P-1dB随直流偏置的变化 B. 确定阻性负载 这里仅在集电极加一个50欧姆的直流偏置电阻使器件稳定化。加入50欧姆电阻后的噪声系数、P-1dB随直流偏置的变化不大，Ib=30uA，VCE在3V至5V之间，仍接近NF=1dB、P-1dB=-8 dBm，这是因为50欧姆，电阻值小，VCE压降变化就小。 这样一个电路在使电路稳定的同时，带来了额外的一个好处，即电路的输出大端的反射系数已经很小，400MHz时S22=-17.47dB，无须对输出端设计匹配电路。 图7 稳定前后的稳定因子K曲线 图8 稳定措施前后的噪声系数曲线 图8示出了采用稳定措施