电子元件的识别与检测.ppt

涤纶电容器耐压的标注是采用一个数字和一个字母组合而成。数字表示10的幂指数，字母表示数值，单位是V（伏）。 字母=数值 A=1.0 B=1.25 C=1.6 D=2.0 E=2.5 F=3.15 G=4.0 H=5.0 J=6.3 K=8.0 Z=9.0 例如： 2A代表 1.0*100=100V 1J代表 6.3*10=63V 2G代表 4.0*100=400V 1K代表 8.0*10=80V 三、晶体管的主要参数 （1）电流放大系数 它是表征晶体管电流放大能力的参数。 直流电流放大系数 （hFE）：集电极直流电流与基极直流电流之比即 : 交流电流放大系数 （hfe）：集电极电流的变化量与基极电流的变化量之比，即： （2）极间反向饱和电流 这是衡量晶体管质量优劣的重要指标 1）集电极 基极反向饱和电流ICBO 2）集电极 发射极反向饱和电流ICEO ICBO测量电路 ICEO测量电路 （3）极限参数 指晶体管使用时电压、电流、及功率的极限值 1）集电极最大允许电流ICM 2）反向击穿电压： UCEO、 UCBO、 UEBO 3）集电极最大允许耗散功率PCM 晶体管在使用时要注意：ICICM，UCE UCEO，PCPCM，晶体管才能长期安全工作，即应使晶体管工作在下图所示的安全工作区内。 判定电路中晶体管的工作状态 结合图中所示的晶体管内部结构与PN结的正向偏置示意图，比较三个电极电位的高低，并判定晶体管工作状态。 分析工作状态 当VP＞VN，则称PN结正偏，反之称为反偏。（以NPN管为例PNP管与此相反） 1）VC＞VB＞VE ，为发射结正偏，集电结反偏，晶体管工作处于放大状态。 2）VB＞VC＞VE，为发射结正偏，集电结正偏，晶体管工作处于饱和状态。 3）VC＞VE＞VB，为发射结反偏，集电结反偏，晶体管工作处于截止状态。 ——分析晶体管的特性曲线 测量晶体管特性的实验电路 1. 输入特性曲线 定义 指当晶体管的输出电压UCE为某一定值时，IB与UBE对应关系的曲线。输入特性曲线曲线反映了输入回路电压和输入电流之间的 关系。 正常导通时，发射结正向压降UBE：硅管约0.7 锗管为0.3V 死区电压： 硅管约0.5V，锗管约0.2V 晶体管输入特性曲线类似于二极管的正向特性曲线 2. 输出特性曲线 （1）定义 是反映晶体管输出回路电压、电流之间的关系，指当晶体管的输入电流IB为某一定值时，集电极电流IC与集电极、发射极间的电压UCE之间对应关系的一族曲线。 （2）分析 晶体管的输出特性曲线可分为三个区域，即截止区、放大区和饱和区。晶体管各区工作状态特点见下表NPN晶体管截止、放大、饱和工作状态特点 操作指导 ？？？ 一、用万用表检测电阻器 1．电阻器阻值测量 测量时应注意： ①电阻器需从电路中断开，不允许带电测量； ②不允许手接触表笔的金属部分，以免引起测量误差。 电阻器的万用表检测 2．检测电位器 （1） 首先要看旋柄转动是否平滑，开关是否灵活，开关通、断时“喀哒”声是否清脆，并听听电位器内部接触点和电阻体摩擦的声音，如有“沙沙”声，说明质量不好。 （2）用万用表测试时，选择合适的万用表的电阻挡位，先测其标称阻值是否正确，再测其阻值变化是否正常，如为0、∞或指针跳动，说明电位器已损坏或质量不佳。 电阻器的万用表检测 二、用万用表检测电容器 （1）容量大于5100PF的电容 选挡： 用“R×1K”或“R×10K”挡测量（小容量电容选低挡测量，大容量电容选高挡测量）。表针向右摆后退回到∞为正常；如退不到∞而停在某一数值上，该数值就是电容器的绝缘电阻（也称漏电电阻)；若为零，则表明电容器已击穿；若表针不动，则表明电容器内部开路。 正常电容 故障电容 （2）容量在 5100PF以下的电容 因电容容量小看不到表针摆动，此时可用“R×10K”挡，测量方法如图所示。由于晶体管的放大作用就可以看到表针摆动 小容量电容的检测 三、万用表检测二极管 （1）正负极的判别：如图所示。 要记住：在两次测量中所测阻值较小的一次中，与黑表笔相接的一端为二极管的正极，与红表笔相接的一端为二极管的负极。 （2）二极管质量的简易判断：如表所示。 四、万用表检测晶体管 1. 判别电极及管型 （1）选挡 功率在1W以下的中、小功率晶体管，可用万用表的