一代到六代IGBT设计方案和制造技术发展概况.docxVIP

PAGE / NUMPAGES 第一代到第六代IGBT设计和制造技术的发展概况 ——愿本文能顺利地为未接触过半导体工艺技术的IGBT使用者提供参考 　　(一)引言：据报道，IGBT功率半导体器件自上世纪八十年代中期问世后，受到应用者的热烈欢迎，大量使用在电力电子装置上，使装置进入了一个突飞猛进阶段。IGBT也越来越深入人心。 　　初期的IGBT存在了很多不足的地方，使应用受到了极大的限制。其后人们针对其存在的不足，作了不断改进。行内习惯按改进次序排列，现今IGBT已进入到第六代。可以这么说每一次改进都有一个飞跃。 　　(二)了解一下半导体 　　虽然IGBT的应用者需要了解的只是IGBT规格、型号、性能、参数和应用须知就够了，但不妨了解一下半导体器件最基本的知识对阅读本文是有帮助的。 　　IGBT是一种功率半导体器件。器件的制作就是在薄薄的一层均匀的半导体硅晶片中按设计方案用特定的工艺手段做成不同功能的若干小区域(可能大家已有了解的所谓PN结、高阻层、高浓度杂质低阻区、绝缘层、原胞、发射极、集电极、栅极等)，而且按要求连接成回路。各个小的功能区的厚薄、大小、位置、杂质性质、杂质浓度甚至杂质浓度分布如浓度梯度都会给器件性能带来极大的影响。所有半导体器件(含微电子、集成电路等)设计和制作就是在硅晶片中做这样的结构文章。如何去制作不同结构的小区域(即晶片内结构)，则需用各种半导体制作工艺(